Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |