Шутов, С. (1999). Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago Style (17th ed.) CitationШутов, С.В. "Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 1999.
MLA (8th ed.) CitationШутов, С.В. "Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.