Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 1999 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862606308355604480 |
|---|---|
| author | Шутов, С.В. |
| author_facet | Шутов, С.В. |
| citation_txt | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.
The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown.
|
| first_indexed | 2025-11-28T13:40:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122743 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T13:40:15Z |
| publishDate | 1999 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шутов, С.В. 2017-07-19T12:56:03Z 2017-07-19T12:56:03Z 1999 Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743 Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для электронных компонентов Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия Вплив ізовалентного легірування вісмутом на властивості епітаксіального арсениду галія Materials for electronical components The impact of isovalent vismuth doping on properties of epitaxial gallium arsenide. Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия Шутов, С.В. Материалы для электронных компонентов |
| title | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия |
| title_alt | Вплив ізовалентного легірування вісмутом на властивості епітаксіального арсениду галія Materials for electronical components The impact of isovalent vismuth doping on properties of epitaxial gallium arsenide. |
| title_full | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия |
| title_fullStr | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия |
| title_full_unstemmed | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия |
| title_short | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия |
| title_sort | влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия |
| topic | Материалы для электронных компонентов |
| topic_facet | Материалы для электронных компонентов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743 |
| work_keys_str_mv | AT šutovsv vliânieizovalentnogolegirovaniâvismutomnasvoistvaépitaksialʹnogoarsenidagalliâ AT šutovsv vplivízovalentnogolegíruvannâvísmutomnavlastivostíepítaksíalʹnogoarsenidugalíâ AT šutovsv materialsforelectronicalcomponentstheimpactofisovalentvismuthdopingonpropertiesofepitaxialgalliumarsenide |