Зображення обкладинки

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	1999
Автор:	Шутов, С.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Теми:	Материалы для электронных компонентов
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2000)

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)

Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
за авторством: Ющук, С.И.
Опубліковано: (1998)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)

Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
за авторством: Гаджиалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
за авторством: Быткин, С.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние легирования на физико-механические свойства плавленых карбидов вольфрама
за авторством: Белый, А.И., та інші
Опубліковано: (2015)

Квантовая электроемкость эпитаксиального графена
за авторством: Алисултанов, З.З., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние легирования хромом на структуру и свойства керамики на основе нанопорошков тетрагонального диоксида циркония
за авторством: Ящишин, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние степени легирования на прочностные свойства конструкционных сталей
за авторством: Козачёк, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование влияния способов изготовления и легирования на свойства таблеток гафната диспрозия
за авторством: Красноруцкий, В.С., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние легирования и МГД-обработки расплава на структуру и свойства высокопрочных алюминиевых литейных сплавов типа ВАЛ 10. Сообщение 2
за авторством: Дубоделов, В.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)

Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Rosensweig instability in ferrofluids
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)