Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автор: | Шутов, С.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
за авторством: Гаджиалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гаджиалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
за авторством: Быткин, С.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Быткин, С.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние легирования на физико-механические свойства плавленых карбидов вольфрама
за авторством: Белый, А.И., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Белый, А.И., та інші
Опубліковано: (2015)
Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование влияния способов изготовления и легирования на свойства таблеток гафната диспрозия
за авторством: Красноруцкий, В.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Красноруцкий, В.С., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние легирования и МГД-обработки расплава на структуру и свойства высокопрочных алюминиевых литейных сплавов типа ВАЛ 10. Сообщение 2
за авторством: Дубоделов, В.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дубоделов, В.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)
Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Rosensweig instability in ferrofluids
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние технологических параметров лазерного и лазерно-плазменнного легирования на свойства наплавленных слоев стали 38ХН3МФА
за авторством: Маркашова, Л.И., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Маркашова, Л.И., та інші
Опубліковано: (2015)
Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Влияние кордовой крови и экстремального охлаждения на иммунологический статус животных в условиях хронической алкоголизации
за авторством: Ломакин, И.И., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ломакин, И.И., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние легирования высокопрочного металла шва титаном на его структуру и свойства
за авторством: Головко, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Головко, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние криоконсервированных ядросодержащих клеток кордовой крови на состояние вегетативной регуляции сердечного ритма у молодых крыс
за авторством: Бабийчук, Л.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Бабийчук, Л.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
Опыт создания баз данных краеведческого характера
за авторством: Ядров, А.Ю.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ядров, А.Ю.
Опубліковано: (2007)
Схожі ресурси
-
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999) -
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999) -
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999) -
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999) -
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)