Cover Image

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:1999
Main Author: Шутов, С.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Subjects:
Материалы для электронных компонентов
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items