Buchumschlag

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	1999
1. Verfasser:	Шутов, С.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Schlagworte:	Материалы для электронных компонентов
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2000)

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1999)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
von: Ющук, С.И.
Veröffentlicht: (1998)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
von: Yefimenko, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
von: Быткин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние легирования на физико-механические свойства плавленых карбидов вольфрама
von: Белый, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Квантовая электроемкость эпитаксиального графена
von: Алисултанов, З.З., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние легирования хромом на структуру и свойства керамики на основе нанопорошков тетрагонального диоксида циркония
von: Ящишин, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
von: Дюгаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние степени легирования на прочностные свойства конструкционных сталей
von: Козачёк, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
von: Межов-Деглин, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияния способов изготовления и легирования на свойства таблеток гафната диспрозия
von: Красноруцкий, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние легирования и МГД-обработки расплава на структуру и свойства высокопрочных алюминиевых литейных сплавов типа ВАЛ 10. Сообщение 2
von: Дубоделов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Rosensweig instability in ferrofluids
von: Kats, E.I.
Veröffentlicht: (2011)

О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
von: Бакай, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)