Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 1999
• 1. Verfasser: Шутов, С.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
• Schlagworte: Материалы для электронных компонентов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown....