Оценка разрешающей способности сканирующего туннельного микроскопа с острием из легированного бором алмаза

На основании анализа зависимости туннельного тока от параметров системы алмазное острие–образец сканирующего туннельного микроскопа оценена разрешающая способность прибора при его работе в режиме сканирования. Установлены параметры сканирования и точность поддержания постоянного значения туннельного...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Лысенко, О.Г., Грушко, В.И., Ткач, В.Н., Мицкевич, Е.И.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2013
Schriftenreihe:Сверхтвердые материалы
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126036
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Оценка разрешающей способности сканирующего туннельного микроскопа с острием из легированного бором алмаза / О.Г. Лысенко, В.И. Грушко, В.Н. Ткач, Е.И. Мицкевич // Сверхтвердые материалы. — 2013. — № 2. — С. 65-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:На основании анализа зависимости туннельного тока от параметров системы алмазное острие–образец сканирующего туннельного микроскопа оценена разрешающая способность прибора при его работе в режиме сканирования. Установлены параметры сканирования и точность поддержания постоянного значения туннельного тока системой обратной связи прибора, при которых возможно наличие атомарного разрешения в случае единственного канала туннелирования. Предложено альтернативное (к наиболее известным публикациям) объяснение гексагональной структуры поверхности пиролитического графита, наблюдаемой с атомарным разрешением. Обсуждена проблема многоканального туннелирования, связанная с наличием в рабочей зоне алмазного зонда нескольких нановыступов, инициирующих туннелирование и ухудшающих разрешающую способность сканирующего туннельного микроскопа.