Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu)

• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Гречнев, Г.Е., Логоша, А.В., Панфилов, А.С., Журавлева, И.П., Лёгенькая, А.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128446
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) / Г.Е. Гречнев, А.В. Логоша, А.С. Панфилов, И.П. Журавлева, А.А. Лёгенькая // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 1. — С. 35–41. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Проведены расчеты из первых принципов электронной структуры и ряда термодинамических характеристик трехкомпонентных систем сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) в нормальной фазе. Выполнен анализ электронных состояний и взаимодействий, ответственных за сверхпроводящие и магнитные свойства исследуемых систем. Установлено, что у соединений YRh₄B₄ и LuRh₄B₄ уровень Ферми находится в непосредственной близости от пика в плотности электронных состояний, и примерно на 1 эВ выше псевдощели в электронном спектре. Выявлено наличие ряда групп квазивырожденных электронных состояний с малой эффективной массой вблизи уровня Ферми. Эти состояния могут быть источником значительного диамагнитного вклада электронов проводимости в магнитную восприимчивость и обусловливать сильную зависимость восприимчивости от температуры в боридах родия.