Неупругие эффекты в двойных туннельных структурах Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb

Созданы двойные туннельные переходы Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb с происходящими в них неупругими туннельными процессами. Исследуется увеличение сверхпроводникового параметра порядка в средней пленке Pb при варьировании температуры, толщины пленки и удельного сопротивления слоя Cr₂O₃ . Результаты интерпрети...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2000
Main Authors: Степуренко, Ю.И., Шатерник, В.Е., Руденко, Э.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129091
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Неупругие эффекты в двойных туннельных структурах Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb / Ю.И. Степуренко, В.Е. Шатерник, Э.М. Руденко // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 642-647. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Созданы двойные туннельные переходы Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb с происходящими в них неупругими туннельными процессами. Исследуется увеличение сверхпроводникового параметра порядка в средней пленке Pb при варьировании температуры, толщины пленки и удельного сопротивления слоя Cr₂O₃ . Результаты интерпретируются в рамках теоретических моделей неупругих туннельных про-цессов, развитых Киртли, Зайделем, Грайцаром и др. Cr–Cr₂O₃–Pb–SnxOy–Pb double tunnel junctions in which inelastic tunneling processes occur, are fabricated. The change in the superconducting order parameter in the middle Pb film upon variation of the temperature, film thickness, and resistivity of the Cr₂O₃ layer is investigated. The results are interpreted in the framework of theoretical models developed by Kirtley, Seidel, Grajcar, and others for inelastic tunneling processes.
ISSN:0132-6414