Неупругие эффекты в двойных туннельных структурах Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb

Созданы двойные туннельные переходы Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb с происходящими в них неупругими туннельными процессами. Исследуется увеличение сверхпроводникового параметра порядка в средней пленке Pb при варьировании температуры, толщины пленки и удельного сопротивления слоя Cr₂O₃ . Результаты интерпрети...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2000
Автори: Степуренко, Ю.И., Шатерник, В.Е., Руденко, Э.М.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129091
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Неупругие эффекты в двойных туннельных структурах Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb / Ю.И. Степуренко, В.Е. Шатерник, Э.М. Руденко // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 642-647. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Созданы двойные туннельные переходы Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb с происходящими в них неупругими туннельными процессами. Исследуется увеличение сверхпроводникового параметра порядка в средней пленке Pb при варьировании температуры, толщины пленки и удельного сопротивления слоя Cr₂O₃ . Результаты интерпретируются в рамках теоретических моделей неупругих туннельных про-цессов, развитых Киртли, Зайделем, Грайцаром и др. Cr–Cr₂O₃–Pb–SnxOy–Pb double tunnel junctions in which inelastic tunneling processes occur, are fabricated. The change in the superconducting order parameter in the middle Pb film upon variation of the temperature, film thickness, and resistivity of the Cr₂O₃ layer is investigated. The results are interpreted in the framework of theoretical models developed by Kirtley, Seidel, Grajcar, and others for inelastic tunneling processes.
ISSN:0132-6414