Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ
Обнаружено уменьшение плотности критического тока Jc тонкой пленки YBa₂Cu₃O₇₋x после ее облучения электронами с энеpгией 4 МэВ. Показано, что температурная зависимость Jc согласуется с представлением о гранулярной структуре пленки с межгранульными контактами типа сверхпроводник- металл-диэлектрик-св...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129096 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ / Ю.В. Федотов, С.М. Рябченко, А.П. Шахов // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 638-641. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |