Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной х...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |