Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки

Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной х...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2000
Hauptverfasser: Король, А.Н., Третяк, О.В., Шека, Д.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862696098821308416
author Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
author_facet Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
citation_txt Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ), а именно, эффект стремительного нарастания тока. Показано, что дифференциальный наклон прямой ветви ВАХ может значительно превышать величину e/kT - при оптимальных значениях параметров задачи более чем на порядок. Проведен анализ зависимости ВАХ от параметров рассматриваемой структуры. A contact between a metal and an n-type semiconductor with a double-barrier resonant-tunneling structure built into the space-charge region is investigated. Besides the well-known effect in which the current falls sharply, there is an additional possibilty: in this system there can also be a steep nonlinearity of the current–voltage (I–V) characteristic, specifically, an effect wherein the current increases precipitously. It is shown that the differential slope of the forward branch of the I–V characteristic can be considerably greater than e/kT — by more than an order of magnitude at optimum values of the parameters of the problem. The dependence of the I–V characteristic on the parameters of the structure is analyzed.
first_indexed 2025-12-07T16:26:40Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129234
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T16:26:40Z
publishDate 2000
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
2018-01-17T20:52:26Z
2018-01-17T20:52:26Z
2000
Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.30.+y, 73.40.+c
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234
Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ), а именно, эффект стремительного нарастания тока. Показано, что дифференциальный наклон прямой ветви ВАХ может значительно превышать величину e/kT - при оптимальных значениях параметров задачи более чем на порядок. Проведен анализ зависимости ВАХ от параметров рассматриваемой структуры.
A contact between a metal and an n-type semiconductor with a double-barrier resonant-tunneling structure built into the space-charge region is investigated. Besides the well-known effect in which the current falls sharply, there is an additional possibilty: in this system there can also be a steep nonlinearity of the current–voltage (I–V) characteristic, specifically, an effect wherein the current increases precipitously. It is shown that the differential slope of the forward branch of the I–V characteristic can be considerably greater than e/kT — by more than an order of magnitude at optimum values of the parameters of the problem. The dependence of the I–V characteristic on the parameters of the structure is analyzed.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
Steep nonlinearity of the the forward-biased current–voltage characteristic of a system with a double-barrier resonant-tunneling structure built into a Schottky barrier
Article
published earlier
spellingShingle Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
title Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_alt Steep nonlinearity of the the forward-biased current–voltage characteristic of a system with a double-barrier resonant-tunneling structure built into a Schottky barrier
title_full Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_fullStr Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_full_unstemmed Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_short Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_sort эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер шоттки
topic Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
topic_facet Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234
work_keys_str_mv AT korolʹan éffektrezkoinelineinostiprâmosmeŝennoivolʹtampernoiharakteristikisistemydvuhbarʹernaâtunnelʹnorezonansnaâstrukturavstroennaâvbarʹeršottki
AT tretâkov éffektrezkoinelineinostiprâmosmeŝennoivolʹtampernoiharakteristikisistemydvuhbarʹernaâtunnelʹnorezonansnaâstrukturavstroennaâvbarʹeršottki
AT šekadi éffektrezkoinelineinostiprâmosmeŝennoivolʹtampernoiharakteristikisistemydvuhbarʹernaâtunnelʹnorezonansnaâstrukturavstroennaâvbarʹeršottki
AT korolʹan steepnonlinearityofthetheforwardbiasedcurrentvoltagecharacteristicofasystemwithadoublebarrierresonanttunnelingstructurebuiltintoaschottkybarrier
AT tretâkov steepnonlinearityofthetheforwardbiasedcurrentvoltagecharacteristicofasystemwithadoublebarrierresonanttunnelingstructurebuiltintoaschottkybarrier
AT šekadi steepnonlinearityofthetheforwardbiasedcurrentvoltagecharacteristicofasystemwithadoublebarrierresonanttunnelingstructurebuiltintoaschottkybarrier