Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки

Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной х...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2000
Main Authors: Король, А.Н., Третяк, О.В., Шека, Д.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129234
record_format dspace
spelling Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
2018-01-17T20:52:26Z
2018-01-17T20:52:26Z
2000
Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.30.+y, 73.40.+c
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234
Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ), а именно, эффект стремительного нарастания тока. Показано, что дифференциальный наклон прямой ветви ВАХ может значительно превышать величину e/kT - при оптимальных значениях параметров задачи более чем на порядок. Проведен анализ зависимости ВАХ от параметров рассматриваемой структуры.
A contact between a metal and an n-type semiconductor with a double-barrier resonant-tunneling structure built into the space-charge region is investigated. Besides the well-known effect in which the current falls sharply, there is an additional possibilty: in this system there can also be a steep nonlinearity of the current–voltage (I–V) characteristic, specifically, an effect wherein the current increases precipitously. It is shown that the differential slope of the forward branch of the I–V characteristic can be considerably greater than e/kT — by more than an order of magnitude at optimum values of the parameters of the problem. The dependence of the I–V characteristic on the parameters of the structure is analyzed.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
Steep nonlinearity of the the forward-biased current–voltage characteristic of a system with a double-barrier resonant-tunneling structure built into a Schottky barrier
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
spellingShingle Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
title_short Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_full Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_fullStr Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_full_unstemmed Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
title_sort эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер шоттки
author Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
author_facet Король, А.Н.
Третяк, О.В.
Шека, Д.И.
topic Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
topic_facet Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
publishDate 2000
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Steep nonlinearity of the the forward-biased current–voltage characteristic of a system with a double-barrier resonant-tunneling structure built into a Schottky barrier
description Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ), а именно, эффект стремительного нарастания тока. Показано, что дифференциальный наклон прямой ветви ВАХ может значительно превышать величину e/kT - при оптимальных значениях параметров задачи более чем на порядок. Проведен анализ зависимости ВАХ от параметров рассматриваемой структуры. A contact between a metal and an n-type semiconductor with a double-barrier resonant-tunneling structure built into the space-charge region is investigated. Besides the well-known effect in which the current falls sharply, there is an additional possibilty: in this system there can also be a steep nonlinearity of the current–voltage (I–V) characteristic, specifically, an effect wherein the current increases precipitously. It is shown that the differential slope of the forward branch of the I–V characteristic can be considerably greater than e/kT — by more than an order of magnitude at optimum values of the parameters of the problem. The dependence of the I–V characteristic on the parameters of the structure is analyzed.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234
citation_txt Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT korolʹan éffektrezkoinelineinostiprâmosmeŝennoivolʹtampernoiharakteristikisistemydvuhbarʹernaâtunnelʹnorezonansnaâstrukturavstroennaâvbarʹeršottki
AT tretâkov éffektrezkoinelineinostiprâmosmeŝennoivolʹtampernoiharakteristikisistemydvuhbarʹernaâtunnelʹnorezonansnaâstrukturavstroennaâvbarʹeršottki
AT šekadi éffektrezkoinelineinostiprâmosmeŝennoivolʹtampernoiharakteristikisistemydvuhbarʹernaâtunnelʹnorezonansnaâstrukturavstroennaâvbarʹeršottki
AT korolʹan steepnonlinearityofthetheforwardbiasedcurrentvoltagecharacteristicofasystemwithadoublebarrierresonanttunnelingstructurebuiltintoaschottkybarrier
AT tretâkov steepnonlinearityofthetheforwardbiasedcurrentvoltagecharacteristicofasystemwithadoublebarrierresonanttunnelingstructurebuiltintoaschottkybarrier
AT šekadi steepnonlinearityofthetheforwardbiasedcurrentvoltagecharacteristicofasystemwithadoublebarrierresonanttunnelingstructurebuiltintoaschottkybarrier
first_indexed 2025-12-07T16:26:40Z
last_indexed 2025-12-07T16:26:40Z
_version_ 1850867502627684352