Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки
Исследован контакт металла с полупроводником n-типа со встроенной в область пространственного заряда двухбарьерной туннельно-резонансной структурой. В этой системе, кроме известного эффекта резкого уменьшения тока, существует дополнительная возможность реализации крутой нелинейности вольт-амперной х...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Authors: | Король, А.Н., Третяк, О.В., Шека, Д.И. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129234 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффект резкой нелинейности прямосмещенной вольт-амперной характеристики системы: двухбарьерная туннельно-резонансная структура, встроенная в барьер Шоттки / А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1144-1149. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
by: Кудрик, Я.Я., et al.
Published: (2014) -
Туннельно-термоактивационный механизм диффузии вакансий в квантовом кристалле
by: Нацик, В.Д., et al.
Published: (2017) -
Встроенная система обработки данных для портативного спектрометра ЯМР
by: Костенко, И.Г., et al.
Published: (2012) -
Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер
by: Абдулкадыров, Д.В., et al.
Published: (2008) -
Социальный пессимизм как барьер модернизации регионов Сибири
by: Немировская, А., et al.
Published: (2014)