Безотражательное прохождение электромагнитных волн при нормальном падении на симметричную трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
Эффект безотражательного нормального прохождения электромагнитных волн через симметричные трехслойные структуры, содержащие слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, вызывает большой интерес. Это обусловлено как необычным характером этого эффекта, так и его уникальными техническими прилож...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130141 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Безотражательное прохождение электромагнитных волн при нормальном падении на симметричную трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 2. — С. 66-71. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Эффект безотражательного нормального прохождения электромагнитных волн через симметричные трехслойные структуры, содержащие слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, вызывает большой интерес. Это обусловлено как необычным характером этого эффекта, так и его уникальными техническими приложениями. Вместе с тем эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн исследован еще недостаточно хорошо и не все его особенности найдены и описаны. К настоящему времени эффект безотражательного прохождения рассмотрен лишь для некоторых конкретных значений диэлектрических проницаемостей и толщин симметричной трехслойной структуры. В данной работе использован общий подход, основанный на введении безразмерных толщин слоев структуры. Он позволяет исследовать эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн безотносительно к какому-то конкретному диапазону длин волн. Показано, что наличие в трехслойной структуре слоя с отрицательной диэлектрической проницаемостью приводит к существенному изменению спектра отражения электромагнитных волн. Найдено, что в спектре отражения электромагнитных волн существуют широкие области слабого отражения. Шириной этих областей можно эффективно управлять, изменяя величину отрицательной диэлектрической проницаемости среднего слоя трехслойной структуры. Изучено влияние потерь энергии в среднем слое трехслойной структуры на спектр отражения электромагнитных волн. Полученные результаты имеют важное прикладное значение для создания новых устройств электроники, фотоники и фотовольтаики. |
|---|