Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Иванов, А.И., Лукьянов, А.Н., Мерисов, Б.А., Сологубенко, А.В., Хаджай, Г.Я.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
• Schlagworte: Динамика кристаллической решетки
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130279
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc.

В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена с...