Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена с...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2002
Автори: Иванов, А.И., Лукьянов, А.Н., Мерисов, Б.А., Сологубенко, А.В., Хаджай, Г.Я.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Теми:
Динамика кристаллической решетки
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130279
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-130279
record_format dspace
spelling Иванов, А.И.
Лукьянов, А.Н.
Мерисов, Б.А.
Сологубенко, А.В.
Хаджай, Г.Я.
2018-02-10T09:57:25Z
2018-02-10T09:57:25Z
2002
Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc.
0132-6414
PACS: 66.60.+a
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130279
В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах" и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка.
В iнтервалi темпеpатуp 2–300 К проведено порiвняльне дослiдження теплопровiдностi зразкiв монокристалa GaAs, отриманих у земних умовах та аналогiчним способом в умовах мiкрогравiтацiї на пiлотованiй станцiї «Мир». Виявлено, що тепло у зразках переноситься фононами. Проведено узгоджену обробку температурних залежностей теплопровiдностi «земного» та «космiчного» зразкiв у рамках дебаївської моделi фононного спектра з урахуванням граничного та резонансного розсiянь, а також розсiяння на «плоских дефектах» та фонон-фононних U-процесiв. Рiзниця у залежностях теплопровiдностi «космiчного» та «земного» зразкiв пов’язанa з наявнiстю у «земному» зразку надлишкового миш’яку, який обумовлює як резонансне розсiяння, так i розсiяння на «плоских дефектах», у якостi останнiх можуть бути кластери атомiв миш’яку.
A comparative study of the thermal conductivity in the temperature interval 2–300 K is carried out for single-crystal GaAs samples grown on Earth and grown under analogous conditions in microgravity on the manned space station Mir. It is found that the heat transfer in the samples is due to phonons. A consistent processing of the temperature dependence of the thermal conductivity of the Earth-grown and space-grown samples is carried out in the framework of the Debye model of the phonon spectrum with allowance for boundary and resonant scattering and for scattering on “planar defects” and phonon–phonon U-processes. The difference in the behavior of the thermal conductivity space-grown and Earth-grown samples is due to the presence of excess arsenic in the Earth-grown sample, resulting in both resonant scattering and scattering on planar defects, which may be clusters of arsenic atoms.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Динамика кристаллической решетки
Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
Thermal conductivity of a GaAs single crystal grown in microgravity
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
spellingShingle Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
Иванов, А.И.
Лукьянов, А.Н.
Мерисов, Б.А.
Сологубенко, А.В.
Хаджай, Г.Я.
Динамика кристаллической решетки
title_short Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_full Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_fullStr Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_full_unstemmed Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_sort теплопроводность монокристалла gaas, выращенного в условиях микрогравитации
author Иванов, А.И.
Лукьянов, А.Н.
Мерисов, Б.А.
Сологубенко, А.В.
Хаджай, Г.Я.
author_facet Иванов, А.И.
Лукьянов, А.Н.
Мерисов, Б.А.
Сологубенко, А.В.
Хаджай, Г.Я.
topic Динамика кристаллической решетки
topic_facet Динамика кристаллической решетки
publishDate 2002
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Thermal conductivity of a GaAs single crystal grown in microgravity
description В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах" и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка. В iнтервалi темпеpатуp 2–300 К проведено порiвняльне дослiдження теплопровiдностi зразкiв монокристалa GaAs, отриманих у земних умовах та аналогiчним способом в умовах мiкрогравiтацiї на пiлотованiй станцiї «Мир». Виявлено, що тепло у зразках переноситься фононами. Проведено узгоджену обробку температурних залежностей теплопровiдностi «земного» та «космiчного» зразкiв у рамках дебаївської моделi фононного спектра з урахуванням граничного та резонансного розсiянь, а також розсiяння на «плоских дефектах» та фонон-фононних U-процесiв. Рiзниця у залежностях теплопровiдностi «космiчного» та «земного» зразкiв пов’язанa з наявнiстю у «земному» зразку надлишкового миш’яку, який обумовлює як резонансне розсiяння, так i розсiяння на «плоских дефектах», у якостi останнiх можуть бути кластери атомiв миш’яку. A comparative study of the thermal conductivity in the temperature interval 2–300 K is carried out for single-crystal GaAs samples grown on Earth and grown under analogous conditions in microgravity on the manned space station Mir. It is found that the heat transfer in the samples is due to phonons. A consistent processing of the temperature dependence of the thermal conductivity of the Earth-grown and space-grown samples is carried out in the framework of the Debye model of the phonon spectrum with allowance for boundary and resonant scattering and for scattering on “planar defects” and phonon–phonon U-processes. The difference in the behavior of the thermal conductivity space-grown and Earth-grown samples is due to the presence of excess arsenic in the Earth-grown sample, resulting in both resonant scattering and scattering on planar defects, which may be clusters of arsenic atoms.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130279
citation_txt Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc.
work_keys_str_mv AT ivanovai teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii
AT lukʹânovan teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii
AT merisovba teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii
AT sologubenkoav teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii
AT hadžaigâ teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii
AT ivanovai thermalconductivityofagaassinglecrystalgrowninmicrogravity
AT lukʹânovan thermalconductivityofagaassinglecrystalgrowninmicrogravity
AT merisovba thermalconductivityofagaassinglecrystalgrowninmicrogravity
AT sologubenkoav thermalconductivityofagaassinglecrystalgrowninmicrogravity
AT hadžaigâ thermalconductivityofagaassinglecrystalgrowninmicrogravity
first_indexed 2025-12-07T20:05:15Z
last_indexed 2025-12-07T20:05:15Z
_version_ 1850881254475431936

Схожі ресурси