Buchumschlag

Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена с...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2002
Hauptverfasser: Иванов, А.И., Лукьянов, А.Н., Мерисов, Б.А., Сологубенко, А.В., Хаджай, Г.Я.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Schlagworte:
Динамика кристаллической решетки
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/130279
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge