Growing of sapphire for optics and optoelectronics by the HDC method in a protective atmosphere
The gas environment process formation in the furnace for sapphire growth by horizontal directional crystalliztion equipped by a graphite heating assembly has been studied during the evacuation and the inert gas (Ar, He) bleeding. The effect of the furnace blowing by the inert gas on concentration of...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Dan`ko, A.Ya., Nizhankovsky, S.V., Kanischev, V.N., Sidelnikova, N.S., Adonkin, G.T., Puzikov, V.M., Grin, L.A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134176 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Growing of sapphire for optics and optoelectronics by the HDC method in a protective atmosphere / A.Ya.Dan`ko, S.V. Nizhankovsky, V.N. Kanischev, N.S. Sidelnikova, G.T. Adonkin, V.M. Puzikov, L.A. Grin // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 3. — С. 426-431. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Charge state of the activator in Ti:sapphire crystals grown by HDC method
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
Optical properties and fine faulty structure of sapphire crystals grown in low pressure CO gas atmosphere
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar + CO atmosphere
за авторством: Dan’ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dan’ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar+CO atmosphere
за авторством: Dan‘ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dan‘ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
Study of nature of some defects visible in polarized light in sapphire signle crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Optimization of temperature conditions for the growth of large-size sapphire crystals by the method of horizontally directed crystallization
за авторством: Grin, L.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Grin, L.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of melt convection on the dynamics and capture inclusions for growing oxide crystals by HDC
за авторством: Naydenov, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Naydenov, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Phase transformations of alpha-Al₂O₃ during annealing in a reducing atmosphere
за авторством: Dan`ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Dan`ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2005)
Formation of the spinel structure (AIAI₂О₄) phase on sapphire surface
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)
Growth conditions influence on thermally stimulated luminescence of sapphire single crystals
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Specific growing features of variable section sapphire articles by Stepanov technique
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2011)
Optoelectronic neflometric meter of the atmospheric environment meteoparameters
за авторством: V. S. Kretulis, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. S. Kretulis, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of crystal growth conditions and carbothermal treatment on activator charge state in Ti:sapphire
за авторством: Nizhankovskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nizhankovskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Growth and optical properties of Al₂O₃-delta:Nₓcrystals
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Wettability of sapphire
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Growing Cd₁₋x₋yMnyHgxTe single crystals and their optoelectronic properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2003)
Phase transformations at reduction of corundum
за авторством: Dan`ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dan`ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2007)
Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)
Peculiarity of sapphire application in medicine
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2014)
XRD studies of surface layers in sapphire substrates of <101Bar2> crystalloghaphic orientation
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)
Potentialities for sapphire strength enhancement
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
On the words used as names for ruby and sapphire
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2011)
Filamentation of femtosecond vortex beam in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of cold atmospheric plasma of microdischarge on fungal mycelium and spores growing
за авторством: Veremii, Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Veremii, Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
Dependence of sapphire hardness on loading type and orientation
за авторством: Sinani, A.B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sinani, A.B., та інші
Опубліковано: (2009)
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Impact fragmentation of sapphire
за авторством: P. V. Konevskij, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. V. Konevskij, та інші
Опубліковано: (2015)
Filamentation in the intersection region of two femtosecond laser beams in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Filamentation in the intersection region of two femtosecond laser beams in sapphire
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. V. Blonskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Some peculiarities of the use of sapphire light guides in metallurgy
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical and luminescence characteristics of YAG:Ce crystals grown by horizontal directed crystallization in reducing gas medium
за авторством: Nizhankovsky, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nizhankovsky, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Investigation of residual stresses in sapphire plates after grinding and polishing
за авторством: Budnikov, A.T., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Budnikov, A.T., та інші
Опубліковано: (2012)
Anisotropy of sapphire properties associated with chemical-mechanical polishing with silica
за авторством: Budnikov, A.T., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Budnikov, A.T., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Charge state of the activator in Ti:sapphire crystals grown by HDC method
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2015) -
Thermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010) -
Optical properties and fine faulty structure of sapphire crystals grown in low pressure CO gas atmosphere
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2000) -
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar + CO atmosphere
за авторством: Dan’ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004) -
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar+CO atmosphere
за авторством: Dan‘ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)