Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13432 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862665329525653504 |
|---|---|
| author | Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. |
| author_facet | Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. |
| citation_txt | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| description | We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It is shown that the leakage current at a low reverse bias has a minimum for the p^+ - n diode structure (impurity concentration of order of 2х10^15 cm^-3 for the n-type and 1х10^18 cm^-3 for the p-type). Increasing the impurity beyond these values may cause the tunneling at a low reverse bias voltage close to zero, and decreasing the impurity causes increasing the diffusion current.
Дослiджено зв’язок мiж концентрацiєю домiшки та струму витоку для трьох типiв InSb дiодiв. Дiоди було виготовлено з рiзними концентрацiями домiшки на обох боках перехода, а саме p - n, p^+ - n та p^+ - n^+; щоб отримати найнижчий рiвень шумiв. Показано, що струм витоку має мiнiмальне значення при низьких зворотних напругах змiщення для p^+ - n структури (концентрацiя домiшки порядку 2 х 10^15 cм^-3 для n-типу та 1 х 10^18 cм^-3 для p-типу). Зростання концентрацiї домiшки понад цих значень може викликати тунелювання при малих зворотних напругах змiщення, тодi як при зменшеннi концентрацiї зростає дифузiйний струм.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:17:17Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13432 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2071-0194 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T15:17:17Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Відділення фізики і астрономії НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. 2010-11-08T17:19:31Z 2010-11-08T17:19:31Z 2010 Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 2071-0194 PACS 71.20.Nr, 71.55.Eg https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13432 We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It is shown that the leakage current at a low reverse bias has a minimum for the p^+ - n diode structure (impurity concentration of order of 2х10^15 cm^-3 for the n-type and 1х10^18 cm^-3 for the p-type). Increasing the impurity beyond these values may cause the tunneling at a low reverse bias voltage close to zero, and decreasing the impurity causes increasing the diffusion current. Дослiджено зв’язок мiж концентрацiєю домiшки та струму витоку для трьох типiв InSb дiодiв. Дiоди було виготовлено з рiзними концентрацiями домiшки на обох боках перехода, а саме p - n, p^+ - n та p^+ - n^+; щоб отримати найнижчий рiвень шумiв. Показано, що струм витоку має мiнiмальне значення при низьких зворотних напругах змiщення для p^+ - n структури (концентрацiя домiшки порядку 2 х 10^15 cм^-3 для n-типу та 1 х 10^18 cм^-3 для p-типу). Зростання концентрацiї домiшки понад цих значень може викликати тунелювання при малих зворотних напругах змiщення, тодi як при зменшеннi концентрацiї зростає дифузiйний струм. The authors would like to thank Gh.R. Valizadeh and M.H. Saani for their stimulating discussions, helpful suggestions, and the technical assistance. en Відділення фізики і астрономії НАН України Тверде тіло Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current Оптимальна концентрація домішки в InSb фотодіодах з мінімальним струмом витоку при низькій зворотній напрузі зміщення Article published earlier |
| spellingShingle | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. Тверде тіло |
| title | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_alt | Оптимальна концентрація домішки в InSb фотодіодах з мінімальним струмом витоку при низькій зворотній напрузі зміщення |
| title_full | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_fullStr | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_full_unstemmed | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_short | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_sort | optimum concentration of insb photodiode for minimum low reverse bias leakage current |
| topic | Тверде тіло |
| topic_facet | Тверде тіло |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13432 |
| work_keys_str_mv | AT moradim optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT daraeem optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT hajianm optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT forghanima optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT rastgoom optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT alipourao optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT moradim optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ AT daraeem optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ AT hajianm optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ AT forghanima optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ AT rastgoom optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ AT alipourao optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ |