Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current

Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current

We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2010
Main Authors: Moradi, M., Daraee, M., Hajian, M., Forghani, M.A., Rastgoo, M., Alipour, A.O.
Format: Article
Language:English
Published: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Subjects:
Тверде тіло
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13432
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-13432
record_format dspace
spelling Moradi, M.
Daraee, M.
Hajian, M.
Forghani, M.A.
Rastgoo, M.
Alipour, A.O.
2010-11-08T17:19:31Z
2010-11-08T17:19:31Z
2010
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
2071-0194
PACS 71.20.Nr, 71.55.Eg
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13432
We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It is shown that the leakage current at a low reverse bias has a minimum for the p^+ - n diode structure (impurity concentration of order of 2х10^15 cm^-3 for the n-type and 1х10^18 cm^-3 for the p-type). Increasing the impurity beyond these values may cause the tunneling at a low reverse bias voltage close to zero, and decreasing the impurity causes increasing the diffusion current.
Дослiджено зв’язок мiж концентрацiєю домiшки та струму витоку для трьох типiв InSb дiодiв. Дiоди було виготовлено з рiзними концентрацiями домiшки на обох боках перехода, а саме p - n, p^+ - n та p^+ - n^+; щоб отримати найнижчий рiвень шумiв. Показано, що струм витоку має мiнiмальне значення при низьких зворотних напругах змiщення для p^+ - n структури (концентрацiя домiшки порядку 2 х 10^15 cм^-3 для n-типу та 1 х 10^18 cм^-3 для p-типу). Зростання концентрацiї домiшки понад цих значень може викликати тунелювання при малих зворотних напругах змiщення, тодi як при зменшеннi концентрацiї зростає дифузiйний струм.
The authors would like to thank Gh.R. Valizadeh and M.H. Saani for their stimulating discussions, helpful suggestions, and the technical assistance.
en
Відділення фізики і астрономії НАН України
Тверде тіло
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
Оптимальна концентрація домішки в InSb фотодіодах з мінімальним струмом витоку при низькій зворотній напрузі зміщення
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
spellingShingle Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
Moradi, M.
Daraee, M.
Hajian, M.
Forghani, M.A.
Rastgoo, M.
Alipour, A.O.
Тверде тіло
title_short Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
title_full Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
title_fullStr Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
title_full_unstemmed Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
title_sort optimum concentration of insb photodiode for minimum low reverse bias leakage current
author Moradi, M.
Daraee, M.
Hajian, M.
Forghani, M.A.
Rastgoo, M.
Alipour, A.O.
author_facet Moradi, M.
Daraee, M.
Hajian, M.
Forghani, M.A.
Rastgoo, M.
Alipour, A.O.
topic Тверде тіло
topic_facet Тверде тіло
publishDate 2010
language English
publisher Відділення фізики і астрономії НАН України
format Article
title_alt Оптимальна концентрація домішки в InSb фотодіодах з мінімальним струмом витоку при низькій зворотній напрузі зміщення
description We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It is shown that the leakage current at a low reverse bias has a minimum for the p^+ - n diode structure (impurity concentration of order of 2х10^15 cm^-3 for the n-type and 1х10^18 cm^-3 for the p-type). Increasing the impurity beyond these values may cause the tunneling at a low reverse bias voltage close to zero, and decreasing the impurity causes increasing the diffusion current. Дослiджено зв’язок мiж концентрацiєю домiшки та струму витоку для трьох типiв InSb дiодiв. Дiоди було виготовлено з рiзними концентрацiями домiшки на обох боках перехода, а саме p - n, p^+ - n та p^+ - n^+; щоб отримати найнижчий рiвень шумiв. Показано, що струм витоку має мiнiмальне значення при низьких зворотних напругах змiщення для p^+ - n структури (концентрацiя домiшки порядку 2 х 10^15 cм^-3 для n-типу та 1 х 10^18 cм^-3 для p-типу). Зростання концентрацiї домiшки понад цих значень може викликати тунелювання при малих зворотних напругах змiщення, тодi як при зменшеннi концентрацiї зростає дифузiйний струм.
issn 2071-0194
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13432
citation_txt Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT moradim optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent
AT daraeem optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent
AT hajianm optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent
AT forghanima optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent
AT rastgoom optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent
AT alipourao optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent
AT moradim optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ
AT daraeem optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ
AT hajianm optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ
AT forghanima optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ
AT rastgoom optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ
AT alipourao optimalʹnakoncentracíâdomíškivinsbfotodíodahzmínímalʹnimstrumomvitokuprinizʹkíizvorotníinapruzízmíŝennâ
first_indexed 2025-12-07T15:17:17Z
last_indexed 2025-12-07T15:17:17Z
_version_ 1850863137610268672

Similar Items