Зображення обкладинки

Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current

We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Moradi, M., Daraee, M., Hajian, M., Forghani, M.A., Rastgoo, M., Alipour, A.O.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Тверде тіло
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/13432
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси