Analysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equation
On the basis of the Wagner approach in the theory of thermal breakdown of dielectrics, the analogous phenomenon in semiconductor films is analyzed. It is done without account of the stabilization effect connected with an external resistance. Formulas giving values of the fused channel diameters and...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134780 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Analysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equation / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 190-195. — англ. |