Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors
Data on optical and electrophysical properties of photosensitive structures with Schottky barrier of nZnSe(O, Te)/Ni type are presented. The photoreceivers of this type have current sensitivity Sλ = 0.1-0.15 A/W for λ = 420-440 nm, and at λ = 250-270 nm Sλ is 0.02 A/W; the threshold sensitivity is ~...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135267 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors // K. Katrunov, N. Starzhinskiy, B. Grinyov, L. Galchinetskii, G. Bendeberya, E. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 364-368. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-135267 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Katrunov, K. Starzhinskiy, N. Grinyov, B. Galchinetskii, L. Bendeberya, G. Bondarenko, E. 2018-06-14T17:39:17Z 2018-06-14T17:39:17Z 2008 Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors // K. Katrunov, N. Starzhinskiy, B. Grinyov, L. Galchinetskii, G. Bendeberya, E. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 364-368. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135267 Data on optical and electrophysical properties of photosensitive structures with Schottky barrier of nZnSe(O, Te)/Ni type are presented. The photoreceivers of this type have current sensitivity Sλ = 0.1-0.15 A/W for λ = 420-440 nm, and at λ = 250-270 nm Sλ is 0.02 A/W; the threshold sensitivity is ~10⁻¹² W·cm⁻¹·Hz⁻¹/². For separation of various UV spectrum regions showing photobiological activity, light filters have been developed intended for use thereof in detecting devices. Представлено дані про оптичні та електрофізичні властивості фоточутливих шарів з бар'єрами Шотткі nZnSe(O, Te)/Ni і показано перспективи їх використання як УФ фотоприймачів. Фотоприймачі такого типу мають струмову чутливість Sλ = 0.1-0.15 А/Вт для λ = 420-440 нм, для λ = 250-270 нм Sλ = 0.02 А/Вт, а також порогову чутливість ~10⁻¹² Вт·см⁻¹·Гц⁻¹/². Розроблено світлофільтри для виділення різних фотобіологічно активних областей УФ випромінювання для використання їх у детектуючих пристроях. Представлены данные по оптическим и электрофизическим свойствам фоточувствительных слоев с барьерами Шоттки nZnSe(O,Te)/Ni и показаны перспективы их использования в качестве УФ фотоприемников. Фотоприемники такого типа имеют токовую чувствительность Sλ = 0.1-0.15 А/Вт для λ = 420-440 нм; для λ = 250-270 нм Sλ = 0.02 А/Вт; пороговая чувствительность ~10⁻¹² Вт·см⁻¹·Гц⁻¹/². Разработаны светофильтры для выделения различных фотобиологически активных областей УФ спектра, предназначенные для использования их в детектирующих устройствах. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors Структури Шотткі nZnSe(O, Te)/Ni та перспективи їх використання у якості селективних ультрафіолетових детекторів Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors |
| spellingShingle |
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors Katrunov, K. Starzhinskiy, N. Grinyov, B. Galchinetskii, L. Bendeberya, G. Bondarenko, E. Characterization and properties |
| title_short |
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors |
| title_full |
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors |
| title_fullStr |
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors |
| title_full_unstemmed |
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors |
| title_sort |
schottky structures nznse(o,te)/ni as candidates for selective ultraviolet detectors |
| author |
Katrunov, K. Starzhinskiy, N. Grinyov, B. Galchinetskii, L. Bendeberya, G. Bondarenko, E. |
| author_facet |
Katrunov, K. Starzhinskiy, N. Grinyov, B. Galchinetskii, L. Bendeberya, G. Bondarenko, E. |
| topic |
Characterization and properties |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| publishDate |
2008 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Структури Шотткі nZnSe(O, Te)/Ni та перспективи їх використання у якості селективних ультрафіолетових детекторів |
| description |
Data on optical and electrophysical properties of photosensitive structures with Schottky barrier of nZnSe(O, Te)/Ni type are presented. The photoreceivers of this type have current sensitivity Sλ = 0.1-0.15 A/W for λ = 420-440 nm, and at λ = 250-270 nm Sλ is 0.02 A/W; the threshold sensitivity is ~10⁻¹² W·cm⁻¹·Hz⁻¹/². For separation of various UV spectrum regions showing photobiological activity, light filters have been developed intended for use thereof in detecting devices.
Представлено дані про оптичні та електрофізичні властивості фоточутливих шарів з бар'єрами Шотткі nZnSe(O, Te)/Ni і показано перспективи їх використання як УФ фотоприймачів. Фотоприймачі такого типу мають струмову чутливість Sλ = 0.1-0.15 А/Вт для λ = 420-440 нм, для λ = 250-270 нм Sλ = 0.02 А/Вт, а також порогову чутливість ~10⁻¹² Вт·см⁻¹·Гц⁻¹/². Розроблено світлофільтри для виділення різних фотобіологічно активних областей УФ випромінювання для використання їх у детектуючих пристроях.
Представлены данные по оптическим и электрофизическим свойствам фоточувствительных слоев с барьерами Шоттки nZnSe(O,Te)/Ni и показаны перспективы их использования в качестве УФ фотоприемников. Фотоприемники такого типа имеют токовую чувствительность Sλ = 0.1-0.15 А/Вт для λ = 420-440 нм; для λ = 250-270 нм Sλ = 0.02 А/Вт; пороговая чувствительность ~10⁻¹² Вт·см⁻¹·Гц⁻¹/². Разработаны светофильтры для выделения различных фотобиологически активных областей УФ спектра, предназначенные для использования их в детектирующих устройствах.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135267 |
| citation_txt |
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors // K. Katrunov, N. Starzhinskiy, B. Grinyov, L. Galchinetskii, G. Bendeberya, E. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 364-368. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT katrunovk schottkystructuresnznseoteniascandidatesforselectiveultravioletdetectors AT starzhinskiyn schottkystructuresnznseoteniascandidatesforselectiveultravioletdetectors AT grinyovb schottkystructuresnznseoteniascandidatesforselectiveultravioletdetectors AT galchinetskiil schottkystructuresnznseoteniascandidatesforselectiveultravioletdetectors AT bendeberyag schottkystructuresnznseoteniascandidatesforselectiveultravioletdetectors AT bondarenkoe schottkystructuresnznseoteniascandidatesforselectiveultravioletdetectors AT katrunovk strukturišottkínznseotenitaperspektiviíhvikoristannâuâkostíselektivnihulʹtrafíoletovihdetektorív AT starzhinskiyn strukturišottkínznseotenitaperspektiviíhvikoristannâuâkostíselektivnihulʹtrafíoletovihdetektorív AT grinyovb strukturišottkínznseotenitaperspektiviíhvikoristannâuâkostíselektivnihulʹtrafíoletovihdetektorív AT galchinetskiil strukturišottkínznseotenitaperspektiviíhvikoristannâuâkostíselektivnihulʹtrafíoletovihdetektorív AT bendeberyag strukturišottkínznseotenitaperspektiviíhvikoristannâuâkostíselektivnihulʹtrafíoletovihdetektorív AT bondarenkoe strukturišottkínznseotenitaperspektiviíhvikoristannâuâkostíselektivnihulʹtrafíoletovihdetektorív |
| first_indexed |
2025-12-07T18:58:40Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:58:40Z |
| _version_ |
1850877066322378752 |