Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
Complex studies of strain induced effects in boron doped p-type silicon whiskers with [111] crystallographic direction in the wide temperature range 4.2 - 300 K at magnetic fields up to 14 T and under high-energy electron irradiation were carried out. The peculiarities of piezomagnetoresistance of S...
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| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | Druzhinin, A.A., Maryamova, I.I., Kutrakov, O.P., Liakh-Kaguy, N.S., Palewski, T. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135328 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures / A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, O.P. Kutrakov, N.S. Liakh-Kaguy, T. Palewski // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 3. — С. 325-329. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
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