Ion plasma deposition and optical properties of SiC films

Ion plasma deposition and optical properties of SiC films

SiC films have been obtained by direct deposition from a C and Si ions flow at energy values in the 30 to 1.500 eV range. The films deposited at the substrate temperature 600 С were chemically and structurally disordered. The deposition energy increase resulted in a reduced optical slot of the film...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2005
Main Authors: Semenov, A.V., Lopin, A.V., Puzikov, V.M., Muto, Sh.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135335
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Ion plasma deposition and optical properties of SiC films / Sh. Muto, V.M. Puzikov, A.V. Lopin, A.V. Semenov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 216-223. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-135335
record_format dspace
spelling Semenov, A.V.
Lopin, A.V.
Puzikov, V.M.
Muto, Sh.
2018-06-14T19:14:31Z
2018-06-14T19:14:31Z
2005
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films / Sh. Muto, V.M. Puzikov, A.V. Lopin, A.V. Semenov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 216-223. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135335
SiC films have been obtained by direct deposition from a C and Si ions flow at energy values in the 30 to 1.500 eV range. The films deposited at the substrate temperature 600 С were chemically and structurally disordered. The deposition energy increase resulted in a reduced optical slot of the film and increased Urbach parameter. The dependence is non-monotonous in the energy range 30-250 eV. The maximum value of the film optical gap (2.2 eV) is close to the band gap for cubic SiC (2.4 eV). The non-monotonic dependence of the film optical properties and structure parameters on the ion deposition energy in the 30-250 eV range can be connected with difference in behavior of C and Si sublattices in SiC under low-energy ion bombardment.
Методом прямого осаждения из потока ионов C и Si с энергиями в диапазоне 30-1500 эВ получены пленки SiC. Осажденные при температуре подложек 600 С пленки являлись структурно и химически разупорядоченными. Повышение энергии осаждения приводило к уменьшению оптической щели пленок и увеличению параметра Урбаха. В диапазоне энергий 30-250 эВ эта зависимость является немонотонной. Максимальное значение оптической щели пленок (2.2 эВ) близко к величине запрещенной зоны кубического карбида кремния (2.4 эВ). Немонотонная зависимость оптических свойств и структурного состояния пленок от энергии осаждения ионов в диапазоне 30-250 эВ моГут быть связаны с различным поведением углеродной и кремниевой подрешеток карбида кремния в условиях низкоэнергетичной ионной бомбардировки.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
spellingShingle Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
Semenov, A.V.
Lopin, A.V.
Puzikov, V.M.
Muto, Sh.
title_short Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
title_full Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
title_fullStr Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
title_full_unstemmed Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
title_sort ion plasma deposition and optical properties of sic films
author Semenov, A.V.
Lopin, A.V.
Puzikov, V.M.
Muto, Sh.
author_facet Semenov, A.V.
Lopin, A.V.
Puzikov, V.M.
Muto, Sh.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
description SiC films have been obtained by direct deposition from a C and Si ions flow at energy values in the 30 to 1.500 eV range. The films deposited at the substrate temperature 600 С were chemically and structurally disordered. The deposition energy increase resulted in a reduced optical slot of the film and increased Urbach parameter. The dependence is non-monotonous in the energy range 30-250 eV. The maximum value of the film optical gap (2.2 eV) is close to the band gap for cubic SiC (2.4 eV). The non-monotonic dependence of the film optical properties and structure parameters on the ion deposition energy in the 30-250 eV range can be connected with difference in behavior of C and Si sublattices in SiC under low-energy ion bombardment. Методом прямого осаждения из потока ионов C и Si с энергиями в диапазоне 30-1500 эВ получены пленки SiC. Осажденные при температуре подложек 600 С пленки являлись структурно и химически разупорядоченными. Повышение энергии осаждения приводило к уменьшению оптической щели пленок и увеличению параметра Урбаха. В диапазоне энергий 30-250 эВ эта зависимость является немонотонной. Максимальное значение оптической щели пленок (2.2 эВ) близко к величине запрещенной зоны кубического карбида кремния (2.4 эВ). Немонотонная зависимость оптических свойств и структурного состояния пленок от энергии осаждения ионов в диапазоне 30-250 эВ моГут быть связаны с различным поведением углеродной и кремниевой подрешеток карбида кремния в условиях низкоэнергетичной ионной бомбардировки.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135335
fulltext
citation_txt Ion plasma deposition and optical properties of SiC films / Sh. Muto, V.M. Puzikov, A.V. Lopin, A.V. Semenov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 216-223. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT semenovav ionplasmadepositionandopticalpropertiesofsicfilms
AT lopinav ionplasmadepositionandopticalpropertiesofsicfilms
AT puzikovvm ionplasmadepositionandopticalpropertiesofsicfilms
AT mutosh ionplasmadepositionandopticalpropertiesofsicfilms
first_indexed 2025-11-25T20:44:27Z
last_indexed 2025-11-25T20:44:27Z
_version_ 1850536711579238400

Similar Items