Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu
Методами математического моделирования исследованы зависимости профилей пространственного распределения имплантированных ионов от их угла падения на наноструктурные пленки. Построена компьютерная модель взаимодействия ионов с наноструктурными пленками и проведены расчеты имплантации ионов Al⁺ в медн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136145 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 32-38. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862628305231937536 |
|---|---|
| author | Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| author_facet | Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| citation_txt | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 32-38. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Методами математического моделирования исследованы зависимости профилей пространственного распределения имплантированных ионов от их угла падения на наноструктурные пленки. Построена компьютерная модель взаимодействия ионов с наноструктурными пленками и проведены расчеты имплантации ионов Al⁺ в медную пленку. Энергия падающих ионов была равна 1 кэВ, а угол падения α изменялся в интервале 0…80⁰. Показано, что при ионной обработке поверхности наноструктурных материалов существует интервал значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов в облучаемой пленке.
Методами математичного моделювання досліджені залежності профілів просторового розподілу імплантованих іонів від їх кута падіння на наноструктурні плівки. Побудована комп'ютерна модель взаємодії іонів з наноструктурними плівками і проведені розрахунки імплантації іонів Al⁺ в мідну плівку. Енергія падаючих іонів дорівнювала 1 кеВ, а кут падіння α змiнювався в інтервалі 0…80⁰. Показано, що при іонної обробці поверхні наноструктурних матеріалів існує інтервал значення кутів, при яких досягається максимальна концентрація іонів в опромiнюванiй плівці.
In the work by methods of mathematical modeling, the dependences of the profiles of the spatial distribution of implanted ions on their angle of incidence on nanostructured films were studied. A computer model for the interaction of ions with nanostructured films was constructed and calculations were made for the implantation of Al⁺ ions into a copper film. The energy of the incident ions was 1 keV and the angle of incidence α varied in the range from 0 to 80⁰. It is shown that when ion surface treatment of nanostructured materials there is an interval of angles at which the maximum ion concentration in the irradiated film is reached.
|
| first_indexed | 2025-11-30T09:48:06Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136145 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T09:48:06Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Павленко, В.И. Марченко, И.Г. 2018-06-16T06:01:13Z 2018-06-16T06:01:13Z 2017 Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 32-38. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136145 539.534.9:523.23 Методами математического моделирования исследованы зависимости профилей пространственного распределения имплантированных ионов от их угла падения на наноструктурные пленки. Построена компьютерная модель взаимодействия ионов с наноструктурными пленками и проведены расчеты имплантации ионов Al⁺ в медную пленку. Энергия падающих ионов была равна 1 кэВ, а угол падения α изменялся в интервале 0…80⁰. Показано, что при ионной обработке поверхности наноструктурных материалов существует интервал значения углов, при которых достигается максимальная концентрация ионов в облучаемой пленке. Методами математичного моделювання досліджені залежності профілів просторового розподілу імплантованих іонів від їх кута падіння на наноструктурні плівки. Побудована комп'ютерна модель взаємодії іонів з наноструктурними плівками і проведені розрахунки імплантації іонів Al⁺ в мідну плівку. Енергія падаючих іонів дорівнювала 1 кеВ, а кут падіння α змiнювався в інтервалі 0…80⁰. Показано, що при іонної обробці поверхні наноструктурних матеріалів існує інтервал значення кутів, при яких досягається максимальна концентрація іонів в опромiнюванiй плівці. In the work by methods of mathematical modeling, the dependences of the profiles of the spatial distribution of implanted ions on their angle of incidence on nanostructured films were studied. A computer model for the interaction of ions with nanostructured films was constructed and calculations were made for the implantation of Al⁺ ions into a copper film. The energy of the incident ions was 1 keV and the angle of incidence α varied in the range from 0 to 80⁰. It is shown that when ion surface treatment of nanostructured materials there is an interval of angles at which the maximum ion concentration in the irradiated film is reached. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Ядерная физика и элементарные частицы Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu Комп'ютерне моделювання профілей імплантованих іонів Al⁺ в наноструктурну плівку Cu Computer simulation of profiles of implanted ions of Al⁺ into nanostructured film Cu Article published earlier |
| spellingShingle | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu Павленко, В.И. Марченко, И.Г. Ядерная физика и элементарные частицы |
| title | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu |
| title_alt | Комп'ютерне моделювання профілей імплантованих іонів Al⁺ в наноструктурну плівку Cu Computer simulation of profiles of implanted ions of Al⁺ into nanostructured film Cu |
| title_full | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu |
| title_fullStr | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu |
| title_full_unstemmed | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu |
| title_short | Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu |
| title_sort | компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов al⁺ в наноструктурную пленку cu |
| topic | Ядерная физика и элементарные частицы |
| topic_facet | Ядерная физика и элементарные частицы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136145 |
| work_keys_str_mv | AT pavlenkovi kompʹûternoemodelirovanieprofileiimplantirovannyhionovalvnanostrukturnuûplenkucu AT marčenkoig kompʹûternoemodelirovanieprofileiimplantirovannyhionovalvnanostrukturnuûplenkucu AT pavlenkovi kompûternemodelûvannâprofíleiímplantovanihíonívalvnanostrukturnuplívkucu AT marčenkoig kompûternemodelûvannâprofíleiímplantovanihíonívalvnanostrukturnuplívkucu AT pavlenkovi computersimulationofprofilesofimplantedionsofalintonanostructuredfilmcu AT marčenkoig computersimulationofprofilesofimplantedionsofalintonanostructuredfilmcu |