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Photocurrent generation in single electron tunneling transistors

A single-electron tunneling transistor (SET) with a non-equilibrium mode population in one of the leads is analyzed theoretically. We model transport through a dot coupled to a channel, both formed by gates from the two-dimensional electron gas of a GaAs/AlGaAs heterostructure. The non-equilibrium m...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	1999
ISSN:	0132-6414
1. Verfasser:	Tageman, O.
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
Schlagworte:	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136222
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Photocurrent generation in single electron tunneling transistors / O. Tageman // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 3. — С. 290-297. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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