Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and param...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136623 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136623 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. 2018-06-16T14:35:56Z 2018-06-16T14:35:56Z 2009 Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136623 Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and parameters in the space charge region of subsurface layer of the investigated material have been obtained: electron concentration N, plasma frequency ωp, relaxation time of free carriers over the pulse τp, energies of optical transitions E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), electrooptical energy hθ, surface electric field Fs, phenomenological broadening parameter Г, energy relaxation time τ, the wave function oscillation durability of quantum-mechanical particle λᴋғ with the reduced effective mass μ at a given surface electric field Fs. The energy diagram of the chemico-dynamically etched n-GaAs (100) surface has been found to include an extreme. The presence of such extreme is explained by zero value of the electron wave function on the surface and/or the structure gettering of the free carriers. Досліджено спектри відбивання у діапазоні 1,4-25 мкм та спектри електровідбивання з використанням електролітичної методики у спектральному діапазоні 1,3-1,6 еВ монокристалів n-GaAs (100) після хіміко-динамічного травлення з концентрацією електронів 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³. Отримано значення фізичних параметрів та параметрів в області просторового заряду приповерхневого шару матеріалу: концентрації електронів N, плазмові частоти ωp час релаксації вільних носіїв за імпульсом τp, енергії оптичних переходів E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), електрооптичної енергії hθ, поверхневого електричного поля Fs, феноменологічного параметра уmирення Г, енергетичного часу релаксації !, протяжності осциляції хвильової функції квантово-механічної частинки λᴋғ із приведеною ефективною масою μ при даному поверхневому електричному полі Fs. Виявлено, що енергетична діаграма хіміко-динамічно травленої поверхні n-GaAs (100) містить екстремум. Появу такого екстремума пояснено нульовим значенням хвильової функції електронів на поверхні і (або) зі структурним гетеруванням вільних носіїв. Исследованы спектры отражения в диапазоне 1,4-25 мкм и спектры электроотражения с использованием электролитической методики в спектральном диапазоне 1,3- 1,6 эВ монокристаллов n-GaAs (100) с концентрацией электронов 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³ после химико-динамического травления. Получены значения физических параметров и параметров в области пространственного заряда приповерхностного слоя материала: концентрации электронов N, плазменные частоты ωp время релаксации свободных носителей по импульсу τp, энергии оптических переходов E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), электрооптической энергии hθ, поверхностного электрического поля Fs, феноменологического параметра уширения Г, энергетического времени релаксации t, протяженности осцилляции волновой функции квантово-механической частицы λᴋғ с приведенной эффективной массой μ при данном поверхностном электрическом поле Fs. Выявлено, что энергетическая диаграмма химико-динамически травленой поверхности n-GaAs (100) имеет экстремум. Появление такого экстремума объяснено нулевым значением волновой функции электронов на поверхности и (или) со структурным геттерированием свободных носителей. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) Інфрачервона спектроскопія та електровідбивання в області фундаментального оптичного переходу Е₀ сильнолегованого n-GaAs (100) Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| spellingShingle |
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. Characterization and properties |
| title_short |
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_full |
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_fullStr |
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_full_unstemmed |
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_sort |
infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition e₀ of heavily doped n-gaas (100) |
| author |
Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. |
| author_facet |
Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. |
| topic |
Characterization and properties |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| publishDate |
2009 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Інфрачервона спектроскопія та електровідбивання в області фундаментального оптичного переходу Е₀ сильнолегованого n-GaAs (100) |
| description |
Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and parameters in the space charge region of subsurface layer of the investigated material have been obtained: electron concentration N, plasma frequency ωp, relaxation time of free carriers over the pulse τp, energies of optical transitions E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), electrooptical energy hθ, surface electric field Fs, phenomenological broadening parameter Г, energy relaxation time τ, the wave function oscillation durability of quantum-mechanical particle λᴋғ with the reduced effective mass μ at a given surface electric field Fs. The energy diagram of the chemico-dynamically etched n-GaAs (100) surface has been found to include an extreme. The presence of such extreme is explained by zero value of the electron wave function on the surface and/or the structure gettering of the free carriers.
Досліджено спектри відбивання у діапазоні 1,4-25 мкм та спектри електровідбивання з використанням електролітичної методики у спектральному діапазоні 1,3-1,6 еВ монокристалів n-GaAs (100) після хіміко-динамічного травлення з концентрацією електронів 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³. Отримано значення фізичних параметрів та параметрів в області просторового заряду приповерхневого шару матеріалу: концентрації електронів N, плазмові частоти ωp час релаксації вільних носіїв за імпульсом τp, енергії оптичних переходів E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), електрооптичної енергії hθ, поверхневого електричного поля Fs, феноменологічного параметра уmирення Г, енергетичного часу релаксації !, протяжності осциляції хвильової функції квантово-механічної частинки λᴋғ із приведеною ефективною масою μ при даному поверхневому електричному полі Fs. Виявлено, що енергетична діаграма хіміко-динамічно травленої поверхні n-GaAs (100) містить екстремум. Появу такого екстремума пояснено нульовим значенням хвильової функції електронів на поверхні і (або) зі структурним гетеруванням вільних носіїв.
Исследованы спектры отражения в диапазоне 1,4-25 мкм и спектры электроотражения с использованием электролитической методики в спектральном диапазоне 1,3- 1,6 эВ монокристаллов n-GaAs (100) с концентрацией электронов 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³ после химико-динамического травления. Получены значения физических параметров и параметров в области пространственного заряда приповерхностного слоя материала: концентрации электронов N, плазменные частоты ωp время релаксации свободных носителей по импульсу τp, энергии оптических переходов E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), электрооптической энергии hθ, поверхностного электрического поля Fs, феноменологического параметра уширения Г, энергетического времени релаксации t, протяженности осцилляции волновой функции квантово-механической частицы λᴋғ с приведенной эффективной массой μ при данном поверхностном электрическом поле Fs. Выявлено, что энергетическая диаграмма химико-динамически травленой поверхности n-GaAs (100) имеет экстремум. Появление такого экстремума объяснено нулевым значением волновой функции электронов на поверхности и (или) со структурным геттерированием свободных носителей.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136623 |
| citation_txt |
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT gentsarpo infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT vlasenkooi infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT vuichykmv infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT stronskiov infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT gentsarpo ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 AT vlasenkooi ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 AT vuichykmv ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 AT stronskiov ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 |
| first_indexed |
2025-12-07T16:39:39Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:39:39Z |
| _version_ |
1850868319803932672 |