Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and param...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136623 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862700658082185216 |
|---|---|
| author | Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. |
| author_facet | Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. |
| citation_txt | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and parameters in the space charge region of subsurface layer of the investigated material have been obtained: electron concentration N, plasma frequency ωp, relaxation time of free carriers over the pulse τp, energies of optical transitions E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), electrooptical energy hθ, surface electric field Fs, phenomenological broadening parameter Г, energy relaxation time τ, the wave function oscillation durability of quantum-mechanical particle λᴋғ with the reduced effective mass μ at a given surface electric field Fs. The energy diagram of the chemico-dynamically etched n-GaAs (100) surface has been found to include an extreme. The presence of such extreme is explained by zero value of the electron wave function on the surface and/or the structure gettering of the free carriers.
Досліджено спектри відбивання у діапазоні 1,4-25 мкм та спектри електровідбивання з використанням електролітичної методики у спектральному діапазоні 1,3-1,6 еВ монокристалів n-GaAs (100) після хіміко-динамічного травлення з концентрацією електронів 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³. Отримано значення фізичних параметрів та параметрів в області просторового заряду приповерхневого шару матеріалу: концентрації електронів N, плазмові частоти ωp час релаксації вільних носіїв за імпульсом τp, енергії оптичних переходів E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), електрооптичної енергії hθ, поверхневого електричного поля Fs, феноменологічного параметра уmирення Г, енергетичного часу релаксації !, протяжності осциляції хвильової функції квантово-механічної частинки λᴋғ із приведеною ефективною масою μ при даному поверхневому електричному полі Fs. Виявлено, що енергетична діаграма хіміко-динамічно травленої поверхні n-GaAs (100) містить екстремум. Появу такого екстремума пояснено нульовим значенням хвильової функції електронів на поверхні і (або) зі структурним гетеруванням вільних носіїв.
Исследованы спектры отражения в диапазоне 1,4-25 мкм и спектры электроотражения с использованием электролитической методики в спектральном диапазоне 1,3- 1,6 эВ монокристаллов n-GaAs (100) с концентрацией электронов 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³ после химико-динамического травления. Получены значения физических параметров и параметров в области пространственного заряда приповерхностного слоя материала: концентрации электронов N, плазменные частоты ωp время релаксации свободных носителей по импульсу τp, энергии оптических переходов E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), электрооптической энергии hθ, поверхностного электрического поля Fs, феноменологического параметра уширения Г, энергетического времени релаксации t, протяженности осцилляции волновой функции квантово-механической частицы λᴋғ с приведенной эффективной массой μ при данном поверхностном электрическом поле Fs. Выявлено, что энергетическая диаграмма химико-динамически травленой поверхности n-GaAs (100) имеет экстремум. Появление такого экстремума объяснено нулевым значением волновой функции электронов на поверхности и (или) со структурным геттерированием свободных носителей.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:39:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136623 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:39:39Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. 2018-06-16T14:35:56Z 2018-06-16T14:35:56Z 2009 Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) // P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko, M.V. Vuichyk, O.V. Stronski // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 23-28. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136623 Studied were the reflection spectra of dynamically chemically etched n-GaAs (100) single crystals with electron concentration of 10¹⁸ to 5·10¹⁸ cm⁻³ in the 1.4-25 μm range as well as the electroreflection ones in 1.3-1.6 eV range using electrolytic method. The values of physical parameters and parameters in the space charge region of subsurface layer of the investigated material have been obtained: electron concentration N, plasma frequency ωp, relaxation time of free carriers over the pulse τp, energies of optical transitions E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), electrooptical energy hθ, surface electric field Fs, phenomenological broadening parameter Г, energy relaxation time τ, the wave function oscillation durability of quantum-mechanical particle λᴋғ with the reduced effective mass μ at a given surface electric field Fs. The energy diagram of the chemico-dynamically etched n-GaAs (100) surface has been found to include an extreme. The presence of such extreme is explained by zero value of the electron wave function on the surface and/or the structure gettering of the free carriers. Досліджено спектри відбивання у діапазоні 1,4-25 мкм та спектри електровідбивання з використанням електролітичної методики у спектральному діапазоні 1,3-1,6 еВ монокристалів n-GaAs (100) після хіміко-динамічного травлення з концентрацією електронів 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³. Отримано значення фізичних параметрів та параметрів в області просторового заряду приповерхневого шару матеріалу: концентрації електронів N, плазмові частоти ωp час релаксації вільних носіїв за імпульсом τp, енергії оптичних переходів E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), електрооптичної енергії hθ, поверхневого електричного поля Fs, феноменологічного параметра уmирення Г, енергетичного часу релаксації !, протяжності осциляції хвильової функції квантово-механічної частинки λᴋғ із приведеною ефективною масою μ при даному поверхневому електричному полі Fs. Виявлено, що енергетична діаграма хіміко-динамічно травленої поверхні n-GaAs (100) містить екстремум. Появу такого екстремума пояснено нульовим значенням хвильової функції електронів на поверхні і (або) зі структурним гетеруванням вільних носіїв. Исследованы спектры отражения в диапазоне 1,4-25 мкм и спектры электроотражения с использованием электролитической методики в спектральном диапазоне 1,3- 1,6 эВ монокристаллов n-GaAs (100) с концентрацией электронов 10¹⁸-5·10¹⁸ см⁻³ после химико-динамического травления. Получены значения физических параметров и параметров в области пространственного заряда приповерхностного слоя материала: концентрации электронов N, плазменные частоты ωp время релаксации свободных носителей по импульсу τp, энергии оптических переходов E₀(Г₈ᵥ-Г₆c), электрооптической энергии hθ, поверхностного электрического поля Fs, феноменологического параметра уширения Г, энергетического времени релаксации t, протяженности осцилляции волновой функции квантово-механической частицы λᴋғ с приведенной эффективной массой μ при данном поверхностном электрическом поле Fs. Выявлено, что энергетическая диаграмма химико-динамически травленой поверхности n-GaAs (100) имеет экстремум. Появление такого экстремума объяснено нулевым значением волновой функции электронов на поверхности и (или) со структурным геттерированием свободных носителей. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) Інфрачервона спектроскопія та електровідбивання в області фундаментального оптичного переходу Е₀ сильнолегованого n-GaAs (100) Article published earlier |
| spellingShingle | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) Gentsar, P.O. Vlasenko, O.I. Vuichyk, M.V. Stronski, O.V. Characterization and properties |
| title | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_alt | Інфрачервона спектроскопія та електровідбивання в області фундаментального оптичного переходу Е₀ сильнолегованого n-GaAs (100) |
| title_full | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_fullStr | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_full_unstemmed | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_short | Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100) |
| title_sort | infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition e₀ of heavily doped n-gaas (100) |
| topic | Characterization and properties |
| topic_facet | Characterization and properties |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136623 |
| work_keys_str_mv | AT gentsarpo infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT vlasenkooi infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT vuichykmv infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT stronskiov infraredspectroscopyandelectroreflectanceintheregionoffundamentalopticaltransitione0ofheavilydopedngaas100 AT gentsarpo ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 AT vlasenkooi ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 AT vuichykmv ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 AT stronskiov ínfračervonaspektroskopíâtaelektrovídbivannâvoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0silʹnolegovanogongaas100 |