Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing
The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a stoichiometry close to Co₂Si are supposed...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137685 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |