Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing
The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a
 stoichiometry close to Co₂Si are s...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137685 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862695072790740992 |
|---|---|
| author | Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. |
| author_facet | Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. |
| citation_txt | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a
stoichiometry close to Co₂Si are supposed to be formed spontaneously in the asdeposited
Co/Si MLF. Sequential anneals of Co/Si MLF at 400, 600, and 700℃ do not produce any visible changes in their amorphous-like large-angle X-ray diffraction (HAXRD) spectra, while the SE indicates the formation of regions with a stoichiometry close to CoSi. Independently on the HAXRD results, the conclusion on the formation of CoSi₂ phase
induced by annealing of Co/Si MLF at 800℃ can be confidently done on the basis of only optical study.
Целью работы является демонстрация возможностей спектроскопической эллипсометрии (SE) при исследовании твердофазных реакций (как самопроизвольных, так и индуцированных) в многослойной пленке (MLF) (3,0 нм Co / 10,6 нм Si)₂₀. Предполагается, что в свежеосажденной области Co/Si MLF самопроизвольно образуются области со стехиометрией, близкой к Co₂Si. Последовательный отжиг Co/Si MLF при 400, 600 и 700℃ не вызывает видимых изменений в спектрах широкоугловой дифракции рентгеновских лучей (HAXRD), в то время как SE выявляет образование областей со стехиометрией, близкой к CoSi. Независимо от результатов HAXRD, на основании только оптических исследований можно сделать надежный вывод об образовании фазы CoSi₂ под влиянием отжига Co/Si MLF при 800℃.
Метою роботи є демонстрацiя можливостей спектроскопiчної елiпсометрiї (SE) при дослiдженнi твердофазних реакцiй (як спонтанних, так i iндукованих) у багатошаровiй плiвцi (MLF) (3,0 нм СО/10,6 нм Si)₂₀. Припускається, що у свiжоосадженiй областi Co/Si MLF спонтанно утворюються областi зi стехiометрiєю, близькою до Co₂Si. Послiдовний вiдпал Co/Si MLF при 400, 600 i 700℃ не викликає видимих змiн у спектрах ширококутової дифракцiї рентгенiвських променiв (HAXRD), у той час як SE виявляє утворення областей зi стехiометрiєю, близькою до CoSi. Незалежно вiд результатiв HAXRD, на пiдставi тiльки оптичних дослiджень можна зробити надiйний висновок про утворення фази CoSi₂ пiд впливом вiдпалу Co/Si MLF при 800℃.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:23:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137685 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:23:56Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. 2018-06-17T15:01:38Z 2018-06-17T15:01:38Z 2005 Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137685 The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a
 stoichiometry close to Co₂Si are supposed to be formed spontaneously in the asdeposited
 Co/Si MLF. Sequential anneals of Co/Si MLF at 400, 600, and 700℃ do not produce any visible changes in their amorphous-like large-angle X-ray diffraction (HAXRD) spectra, while the SE indicates the formation of regions with a stoichiometry close to CoSi. Independently on the HAXRD results, the conclusion on the formation of CoSi₂ phase
 induced by annealing of Co/Si MLF at 800℃ can be confidently done on the basis of only optical study. Целью работы является демонстрация возможностей спектроскопической эллипсометрии (SE) при исследовании твердофазных реакций (как самопроизвольных, так и индуцированных) в многослойной пленке (MLF) (3,0 нм Co / 10,6 нм Si)₂₀. Предполагается, что в свежеосажденной области Co/Si MLF самопроизвольно образуются области со стехиометрией, близкой к Co₂Si. Последовательный отжиг Co/Si MLF при 400, 600 и 700℃ не вызывает видимых изменений в спектрах широкоугловой дифракции рентгеновских лучей (HAXRD), в то время как SE выявляет образование областей со стехиометрией, близкой к CoSi. Независимо от результатов HAXRD, на основании только оптических исследований можно сделать надежный вывод об образовании фазы CoSi₂ под влиянием отжига Co/Si MLF при 800℃. Метою роботи є демонстрацiя можливостей спектроскопiчної елiпсометрiї (SE) при дослiдженнi твердофазних реакцiй (як спонтанних, так i iндукованих) у багатошаровiй плiвцi (MLF) (3,0 нм СО/10,6 нм Si)₂₀. Припускається, що у свiжоосадженiй областi Co/Si MLF спонтанно утворюються областi зi стехiометрiєю, близькою до Co₂Si. Послiдовний вiдпал Co/Si MLF при 400, 600 i 700℃ не викликає видимих змiн у спектрах ширококутової дифракцiї рентгенiвських променiв (HAXRD), у той час як SE виявляє утворення областей зi стехiометрiєю, близькою до CoSi. Незалежно вiд результатiв HAXRD, на пiдставi тiльки оптичних дослiджень можна зробити надiйний висновок про утворення фази CoSi₂ пiд впливом вiдпалу Co/Si MLF при 800℃. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing Еліпсометричне посвідчення утворення Co₂Si у багатошарових плівках Co/Si під впливом термічного відпалу Article published earlier |
| spellingShingle | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. |
| title | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_alt | Еліпсометричне посвідчення утворення Co₂Si у багатошарових плівках Co/Si під впливом термічного відпалу |
| title_full | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_fullStr | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_full_unstemmed | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_short | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_sort | ellipsometric evidence of cosi₂ formation in co/si multilayer induced by thermal annealing |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137685 |
| work_keys_str_mv | AT kudryavtsevyv ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT leeyp ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT hyunyh ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT pavlovaep ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT makogonyn ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT kudryavtsevyv elípsometričneposvídčennâutvorennâco2siubagatošarovihplívkahcosipídvplivomtermíčnogovídpalu AT leeyp elípsometričneposvídčennâutvorennâco2siubagatošarovihplívkahcosipídvplivomtermíčnogovídpalu AT hyunyh elípsometričneposvídčennâutvorennâco2siubagatošarovihplívkahcosipídvplivomtermíčnogovídpalu AT pavlovaep elípsometričneposvídčennâutvorennâco2siubagatošarovihplívkahcosipídvplivomtermíčnogovídpalu AT makogonyn elípsometričneposvídčennâutvorennâco2siubagatošarovihplívkahcosipídvplivomtermíčnogovídpalu |