The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) and ZnₓHg₁₋ₓTe (x = 0.15) are considered. The temperature...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137730 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions // O.P. Malyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 179-182. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862644551558103040 |
|---|---|
| author | Malyk, O.P. |
| author_facet | Malyk, O.P. |
| citation_txt | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions // O.P. Malyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 179-182. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) and ZnₓHg₁₋ₓTe (x = 0.15) are considered. The temperature dependence of the charge carrier mobility in temperature range 50-360 K are calculated.
Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, викликаному взаємодією з полярним та неполярним оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, статичною деформацією, нейтральними та іонізованими домішками в ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) та ZnₓHg₁₋ₓTe (х = 0.15). Розраховано температурні залежності рухливості носія заряду в інтервалі температур 50-360 К.
Рассмотрены процессы рассеяния носителя заряда на близко-действующем потенциале, вызванном взаимодействием с полярным и неполярным оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, статической деформацией, нейтральными и ионизированными примесями в ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) и ZnₓHg₁₋ₓTe (х = 0.15). Рассчитаны температурные зависимости подвижности носителя заряда в интервале температур 50-360 К.
|
| first_indexed | 2025-12-01T09:28:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137730 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-01T09:28:46Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Malyk, O.P. 2018-06-17T15:43:02Z 2018-06-17T15:43:02Z 2009 The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions // O.P. Malyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 179-182. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137730 The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) and ZnₓHg₁₋ₓTe (x = 0.15) are considered. The temperature dependence of the charge carrier mobility in temperature range 50-360 K are calculated. Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, викликаному взаємодією з полярним та неполярним оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, статичною деформацією, нейтральними та іонізованими домішками в ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) та ZnₓHg₁₋ₓTe (х = 0.15). Розраховано температурні залежності рухливості носія заряду в інтервалі температур 50-360 К. Рассмотрены процессы рассеяния носителя заряда на близко-действующем потенциале, вызванном взаимодействием с полярным и неполярным оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, статической деформацией, нейтральными и ионизированными примесями в ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) и ZnₓHg₁₋ₓTe (х = 0.15). Рассчитаны температурные зависимости подвижности носителя заряда в интервале температур 50-360 К. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions Локальна взаємодія носія заряду з дефектами гратки у твердих розчинах ZnCdTe та ZnHgTe Article published earlier |
| spellingShingle | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions Malyk, O.P. Characterization and properties |
| title | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions |
| title_alt | Локальна взаємодія носія заряду з дефектами гратки у твердих розчинах ZnCdTe та ZnHgTe |
| title_full | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions |
| title_fullStr | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions |
| title_full_unstemmed | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions |
| title_short | The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions |
| title_sort | local charge carrier interaction with lattice defects in zncdte and znhgte solid solutions |
| topic | Characterization and properties |
| topic_facet | Characterization and properties |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137730 |
| work_keys_str_mv | AT malykop thelocalchargecarrierinteractionwithlatticedefectsinzncdteandznhgtesolidsolutions AT malykop lokalʹnavzaêmodíânosíâzarâduzdefektamigratkiutverdihrozčinahzncdtetaznhgte AT malykop localchargecarrierinteractionwithlatticedefectsinzncdteandznhgtesolidsolutions |