Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals

Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals

The part played by electric current pulses in formation of residual electroplastic effect and the "electric memory" effect in dislocation-containing silicon crystals has been investigated. The character of the observed effects has been found to be defined by parameters of electronic excita...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2004
Hauptverfasser: Makara, V.A., Kolomiets, A.M., Kolchenko, Yu.L., Naumenko, S.M., Rudenko, O.V., Steblenko, L.P.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138821
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals / V.A. Makara, A.M. Kolomiets , Yu.L. Kolchenko, S.M. Naumenko, O.V. Rudenko, L.P. Steblenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 386-388. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138821
record_format dspace
spelling Makara, V.A.
Kolomiets, A.M.
Kolchenko, Yu.L.
Naumenko, S.M.
Rudenko, O.V.
Steblenko, L.P.
2018-06-19T15:40:40Z
2018-06-19T15:40:40Z
2004
Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals / V.A. Makara, A.M. Kolomiets , Yu.L. Kolchenko, S.M. Naumenko, O.V. Rudenko, L.P. Steblenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 386-388. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138821
The part played by electric current pulses in formation of residual electroplastic effect and the "electric memory" effect in dislocation-containing silicon crystals has been investigated. The character of the observed effects has been found to be defined by parameters of electronic excitation and to result from relationship between the charge state and its relaxation in motionless and mobile dislocations.
Исследована роль импульсного электрического тока в формировании остаточного электропластического эффекта и эффекта "электрической памяти" дислокационных кристаллов кремния. Установлено, что характер найденных эффектов регулируется параметрами электронного возбуждения и обусловливается связью между зарядовым состоянием и его релаксацией в неподвижных и подвижных дислокациях.
Досліджєно роль імпульсного електричного струму у формуванні залишкового елек-тропластичного ефекту та ефекту "електричної пам’яті" дислокаційних кристалів кремнію. Встановлено, що характер виявлениех ефектів регулюється параметрами електронного збудження і обумовлюється зв’язком між зарядовим станом і та його релаксацією у нерухомих і рухомих дислокацій.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
Зв’язок між структурними неоднородностями i релаксаційними процесами в збуджених кристалах кремнію
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
spellingShingle Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
Makara, V.A.
Kolomiets, A.M.
Kolchenko, Yu.L.
Naumenko, S.M.
Rudenko, O.V.
Steblenko, L.P.
title_short Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
title_full Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
title_fullStr Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
title_full_unstemmed Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
title_sort relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
author Makara, V.A.
Kolomiets, A.M.
Kolchenko, Yu.L.
Naumenko, S.M.
Rudenko, O.V.
Steblenko, L.P.
author_facet Makara, V.A.
Kolomiets, A.M.
Kolchenko, Yu.L.
Naumenko, S.M.
Rudenko, O.V.
Steblenko, L.P.
publishDate 2004
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Зв’язок між структурними неоднородностями i релаксаційними процесами в збуджених кристалах кремнію
description The part played by electric current pulses in formation of residual electroplastic effect and the "electric memory" effect in dislocation-containing silicon crystals has been investigated. The character of the observed effects has been found to be defined by parameters of electronic excitation and to result from relationship between the charge state and its relaxation in motionless and mobile dislocations. Исследована роль импульсного электрического тока в формировании остаточного электропластического эффекта и эффекта "электрической памяти" дислокационных кристаллов кремния. Установлено, что характер найденных эффектов регулируется параметрами электронного возбуждения и обусловливается связью между зарядовым состоянием и его релаксацией в неподвижных и подвижных дислокациях. Досліджєно роль імпульсного електричного струму у формуванні залишкового елек-тропластичного ефекту та ефекту "електричної пам’яті" дислокаційних кристалів кремнію. Встановлено, що характер виявлениех ефектів регулюється параметрами електронного збудження і обумовлюється зв’язком між зарядовим станом і та його релаксацією у нерухомих і рухомих дислокацій.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138821
citation_txt Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals / V.A. Makara, A.M. Kolomiets , Yu.L. Kolchenko, S.M. Naumenko, O.V. Rudenko, L.P. Steblenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 386-388. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT makarava relationbetweenstructureinhomogeneitiesandrelaxationprocessesinexcitedsiliconcrystals
AT kolomietsam relationbetweenstructureinhomogeneitiesandrelaxationprocessesinexcitedsiliconcrystals
AT kolchenkoyul relationbetweenstructureinhomogeneitiesandrelaxationprocessesinexcitedsiliconcrystals
AT naumenkosm relationbetweenstructureinhomogeneitiesandrelaxationprocessesinexcitedsiliconcrystals
AT rudenkoov relationbetweenstructureinhomogeneitiesandrelaxationprocessesinexcitedsiliconcrystals
AT steblenkolp relationbetweenstructureinhomogeneitiesandrelaxationprocessesinexcitedsiliconcrystals
AT makarava zvâzokmížstrukturnimineodnorodnostâmiirelaksacíinimiprocesamivzbudženihkristalahkremníû
AT kolomietsam zvâzokmížstrukturnimineodnorodnostâmiirelaksacíinimiprocesamivzbudženihkristalahkremníû
AT kolchenkoyul zvâzokmížstrukturnimineodnorodnostâmiirelaksacíinimiprocesamivzbudženihkristalahkremníû
AT naumenkosm zvâzokmížstrukturnimineodnorodnostâmiirelaksacíinimiprocesamivzbudženihkristalahkremníû
AT rudenkoov zvâzokmížstrukturnimineodnorodnostâmiirelaksacíinimiprocesamivzbudženihkristalahkremníû
AT steblenkolp zvâzokmížstrukturnimineodnorodnostâmiirelaksacíinimiprocesamivzbudženihkristalahkremníû
first_indexed 2025-12-07T13:16:28Z
last_indexed 2025-12-07T13:16:28Z
_version_ 1850855536675782656

Ähnliche Einträge