The correlation between film structure and surface temperature
The structure of metal films deposited from fluxes of energetic and thermalized sputtered atoms has been studied in detail. The growth surface temperature Tsurf developing during the condensation of sputtered atoms has been measured by two independent techniques. Variations in the film structure fro...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138930 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | The correlation between film structure and surface temperature // L.R. Shaginyan, I.V. Belousov, A.G. Sedlyar // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 384-389. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138930 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Shaginyan, L.R. Belousov, I.V. Sedlyar, A.G. 2018-06-19T17:19:20Z 2018-06-19T17:19:20Z 2009 The correlation between film structure and surface temperature // L.R. Shaginyan, I.V. Belousov, A.G. Sedlyar // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 384-389. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138930 The structure of metal films deposited from fluxes of energetic and thermalized sputtered atoms has been studied in detail. The growth surface temperature Tsurf developing during the condensation of sputtered atoms has been measured by two independent techniques. Variations in the film structure from fine-grained in the interface region to coarse-grained in the upper part of the film correlate with variations in the Tsurf. The Tsurf being equal to the substrate temperature at the beginning of the deposition steeply increases and remains several times higher than the substrate temperature during the process. We explain this effect by formation of a liquid-like layerwith low thermal conductivity that forms on the growth surface during deposition. Due to this layer we assert that the film grows by a "gas->liquid->solid" rather than a "gas->solid" mechanism independently on the deposition method. Досліджено структуру металевих плівок, осаджених з потоків енергетичних і термалізованих розпорошених атомів. Двома незалежними методами виміряно температуру поверхні росту Tsurf, яка виникає у процесі конденсації атомів. Зміни структури від дисперсної в області під підкладкою до грубозернистої у верхніх частинах плівки корелюють із змінами Tsurf у процесі росту плівки. На початку процесу Tsurf дорівнює температурі підкладки Тs, але швидко зростає і, досягнувши певної величини, залишається у декілька разів більше Тs впродовж всього процесу. Цей ефект пояснено утворенням на поверхні зростання у процесі формування плівки рідкоподібного шару з низькою теплопровідністю. Існування такого шару дозволяє стверджувати, що плівка росте за механізмом "пара->рідина->кристал", а не "пара->кристал", незалежно від методу осадження. Исследована структура металлических пленок, осажденных из потоков энергетических и термализованных распыленных атомов. Двумя независимыми методами измерена температура поверхности роста Tsurf возникающая в процессе конденсации атомов. Изменения структуры от дисперсной в приподложечной области до крупнозернистой в верхних частях пленки коррелируют с изменениями Tsurf в процессе роста пленки. Tsurf будучи в начале процесса равной температуре подложки Тs, быстро растет и, достигнув определенной величины, остается в несколько раз больше Тs на протяжении всего процесса. Этот эффект объяснен образованием на поверхности роста в процессе формирования пленки жидкоподобного слоя с низкой теплопроводностью. Существование такого слоя позволяет утверждать, что пленка растет по механизму "пар->жидкость->кристалл", а не "пар->кристалл", независимо от метода осаждения. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties The correlation between film structure and surface temperature Взаємозв'язок між структурою плівок і температурою, що розвивається на поверхні росту Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
The correlation between film structure and surface temperature |
| spellingShingle |
The correlation between film structure and surface temperature Shaginyan, L.R. Belousov, I.V. Sedlyar, A.G. Characterization and properties |
| title_short |
The correlation between film structure and surface temperature |
| title_full |
The correlation between film structure and surface temperature |
| title_fullStr |
The correlation between film structure and surface temperature |
| title_full_unstemmed |
The correlation between film structure and surface temperature |
| title_sort |
correlation between film structure and surface temperature |
| author |
Shaginyan, L.R. Belousov, I.V. Sedlyar, A.G. |
| author_facet |
Shaginyan, L.R. Belousov, I.V. Sedlyar, A.G. |
| topic |
Characterization and properties |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| publishDate |
2009 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Взаємозв'язок між структурою плівок і температурою, що розвивається на поверхні росту |
| description |
The structure of metal films deposited from fluxes of energetic and thermalized sputtered atoms has been studied in detail. The growth surface temperature Tsurf developing during the condensation of sputtered atoms has been measured by two independent techniques. Variations in the film structure from fine-grained in the interface region to coarse-grained in the upper part of the film correlate with variations in the Tsurf. The Tsurf being equal to the substrate temperature at the beginning of the deposition steeply increases and remains several times higher than the substrate temperature during the process. We explain this effect by formation of a liquid-like layerwith low thermal conductivity that forms on the growth surface during deposition. Due to this layer we assert that the film grows by a "gas->liquid->solid" rather than a "gas->solid" mechanism independently on the deposition method.
Досліджено структуру металевих плівок, осаджених з потоків енергетичних і термалізованих розпорошених атомів. Двома незалежними методами виміряно температуру поверхні росту Tsurf, яка виникає у процесі конденсації атомів. Зміни структури від дисперсної в області під підкладкою до грубозернистої у верхніх частинах плівки корелюють із змінами Tsurf у процесі росту плівки. На початку процесу Tsurf дорівнює температурі підкладки Тs, але швидко зростає і, досягнувши певної величини, залишається у декілька разів більше Тs впродовж всього процесу. Цей ефект пояснено утворенням на поверхні зростання у процесі формування плівки рідкоподібного шару з низькою теплопровідністю. Існування такого шару дозволяє стверджувати, що плівка росте за механізмом "пара->рідина->кристал", а не "пара->кристал", незалежно від методу осадження.
Исследована структура металлических пленок, осажденных из потоков энергетических и термализованных распыленных атомов. Двумя независимыми методами измерена температура поверхности роста Tsurf возникающая в процессе конденсации атомов. Изменения структуры от дисперсной в приподложечной области до крупнозернистой в верхних частях пленки коррелируют с изменениями Tsurf в процессе роста пленки. Tsurf будучи в начале процесса равной температуре подложки Тs, быстро растет и, достигнув определенной величины, остается в несколько раз больше Тs на протяжении всего процесса. Этот эффект объяснен образованием на поверхности роста в процессе формирования пленки жидкоподобного слоя с низкой теплопроводностью. Существование такого слоя позволяет утверждать, что пленка растет по механизму "пар->жидкость->кристалл", а не "пар->кристалл", независимо от метода осаждения.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138930 |
| citation_txt |
The correlation between film structure and surface temperature // L.R. Shaginyan, I.V. Belousov, A.G. Sedlyar // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 384-389. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT shaginyanlr thecorrelationbetweenfilmstructureandsurfacetemperature AT belousoviv thecorrelationbetweenfilmstructureandsurfacetemperature AT sedlyarag thecorrelationbetweenfilmstructureandsurfacetemperature AT shaginyanlr vzaêmozvâzokmížstrukturoûplívokítemperaturoûŝorozvivaêtʹsânapoverhnírostu AT belousoviv vzaêmozvâzokmížstrukturoûplívokítemperaturoûŝorozvivaêtʹsânapoverhnírostu AT sedlyarag vzaêmozvâzokmížstrukturoûplívokítemperaturoûŝorozvivaêtʹsânapoverhnírostu AT shaginyanlr correlationbetweenfilmstructureandsurfacetemperature AT belousoviv correlationbetweenfilmstructureandsurfacetemperature AT sedlyarag correlationbetweenfilmstructureandsurfacetemperature |
| first_indexed |
2025-12-02T11:57:28Z |
| last_indexed |
2025-12-02T11:57:28Z |
| _version_ |
1850862466111635456 |