Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals
To determine the kinetics of pre-threshold defect formation, studies have been carried out of dielectric permittivity of isovalently doped zinc selenide and Cd₁₋ₓZnₓTe crystals (x = 0.16). X-ray irradiation of the samples was carried out (W-anode, 100-150 kV), with its dose D varied within the limit...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139476 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵcrystals / V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, O. Chugai , V. Seminozhenko, V. Migal’ , V. Komar’, I. Klimenko , K. Katrunov, S. Abashin, S. Oleinik, S. Sulima, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139476 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Chugai, O. Seminozhenko, V. Migal, V. Komar, V. Klimenko, I. Katrunov, K. Abashin, S. Oleinik, S. Sulima, S. Zenya, I. 2018-06-20T13:31:12Z 2018-06-20T13:31:12Z 2004 Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵcrystals / V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, O. Chugai , V. Seminozhenko, V. Migal’ , V. Komar’, I. Klimenko , K. Katrunov, S. Abashin, S. Oleinik, S. Sulima, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139476 To determine the kinetics of pre-threshold defect formation, studies have been carried out of dielectric permittivity of isovalently doped zinc selenide and Cd₁₋ₓZnₓTe crystals (x = 0.16). X-ray irradiation of the samples was carried out (W-anode, 100-150 kV), with its dose D varied within the limits of up to 900 R. Dielectric parameters є' and є'' were measured by the capacitance technique in the frequency range 1...50 kHz. The photoactive states were studied by the method of scanning photodielectric spectroscopy. Non-trivial changes were noted in parameters є' and є'' upon increasing radiation dose. The values and sign of these changes depend upon the dose, as well as on frequency of the AC electric field. It has been shown that, starting from small values of D, transformation occurs of the system of intrinsic structure defects: concentration of initial defects is changed, new defects are formed, as well as their associates. Substantial difference has been noted in behavior of the said parameters for ZnSe and Cd₁₋ₓZnₓTe crystals. Для определения кинетики допорогового дефектообразования исследовалась диэлектрическая проницаемость изовалентно легированного селенида цинка и кристаллов Cd₁₋ₓZnₓTe (x = 0,16). Облучение образцов производили рентгеновским излучением (W-анод, 100-150 кВ), доза D которого варьировалась в пределах до 900 Р. Диэлектрические параметры є' и є'' измерялись емкостной методикой в диапазоне частот 1...50 кГц. Фотоактивные состояния исследовали методом сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Обнаружены нетривиальные изменения параметров є' и є'' по мере возрастания дозы облучения. Величина и знак этих изменений зависят от дозы, а также частоты переменного электрического поля. Показано, что, начиная уже с малых значений D, происходит преобразование системы собственных дефектов структуры: изменяется концентрация исходных дефектов, образуются новые дефекты и их ассо-циаты. Наблюдаются существенные отличия в поведении указанных параметров для кристаллов ZnSe и Cd₁₋ₓZnₓTe. Для визначення кінєтики допорогового дефектоутворення досліджувалася діелектрична проникність ізовалентно легованого селеніду цинку та кристалів Cd₁₋ₓZnₓTe (x = 0,16). Опромінення зразків проводили рентгенівським випроміненням (W-анод, 100150 кВ), доза D якого змінювалась у межах до 900 Р. Діелектричні параметри є' та є'' вимірювалися ємосною методикою у діапазоні частот 1...50 кГц. Фотоактивні стани досдіджували методом скануючої фотодіелектричної спектроскопії. Знайдені нетривіальні змінення параметрів є' та є'' при зростанні дози опромінення. Величина і знак цих змінень залежать від дози, а також частоти змінного електричного поля. Показано, що, починаючи з малих значень D, відбувається перебудова системи власних дефектів структури: змінюється концентрація вихідних дефектів, утворюються нові дефекти та їхні асоціати. Спостерігаються суттєві відзнаки у поведінці вказаних параметрів для кристалів ZnSe та Cd₁₋ₓZnₓTe. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals Радіаційно-індуковані зміни діелектричних та фотоелектричних властивостей кристалів AᴵᴵBⱽᴵ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals |
| spellingShingle |
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Chugai, O. Seminozhenko, V. Migal, V. Komar, V. Klimenko, I. Katrunov, K. Abashin, S. Oleinik, S. Sulima, S. Zenya, I. |
| title_short |
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals |
| title_full |
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals |
| title_fullStr |
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals |
| title_full_unstemmed |
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals |
| title_sort |
radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of aᴵᴵbⱽᴵ crystals |
| author |
Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Chugai, O. Seminozhenko, V. Migal, V. Komar, V. Klimenko, I. Katrunov, K. Abashin, S. Oleinik, S. Sulima, S. Zenya, I. |
| author_facet |
Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Chugai, O. Seminozhenko, V. Migal, V. Komar, V. Klimenko, I. Katrunov, K. Abashin, S. Oleinik, S. Sulima, S. Zenya, I. |
| publishDate |
2004 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Радіаційно-індуковані зміни діелектричних та фотоелектричних властивостей кристалів AᴵᴵBⱽᴵ |
| description |
To determine the kinetics of pre-threshold defect formation, studies have been carried out of dielectric permittivity of isovalently doped zinc selenide and Cd₁₋ₓZnₓTe crystals (x = 0.16). X-ray irradiation of the samples was carried out (W-anode, 100-150 kV), with its dose D varied within the limits of up to 900 R. Dielectric parameters є' and є'' were measured by the capacitance technique in the frequency range 1...50 kHz. The photoactive states were studied by the method of scanning photodielectric spectroscopy. Non-trivial changes were noted in parameters є' and є'' upon increasing radiation dose. The values and sign of these changes depend upon the dose, as well as on frequency of the AC electric field. It has been shown that, starting from small values of D, transformation occurs of the system of intrinsic structure defects: concentration of initial defects is changed, new defects are formed, as well as their associates. Substantial difference has been noted in behavior of the said parameters for ZnSe and Cd₁₋ₓZnₓTe crystals.
Для определения кинетики допорогового дефектообразования исследовалась диэлектрическая проницаемость изовалентно легированного селенида цинка и кристаллов Cd₁₋ₓZnₓTe (x = 0,16). Облучение образцов производили рентгеновским излучением (W-анод, 100-150 кВ), доза D которого варьировалась в пределах до 900 Р. Диэлектрические параметры є' и є'' измерялись емкостной методикой в диапазоне частот 1...50 кГц. Фотоактивные состояния исследовали методом сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Обнаружены нетривиальные изменения параметров є' и є'' по мере возрастания дозы облучения. Величина и знак этих изменений зависят от дозы, а также частоты переменного электрического поля. Показано, что, начиная уже с малых значений D, происходит преобразование системы собственных дефектов структуры: изменяется концентрация исходных дефектов, образуются новые дефекты и их ассо-циаты. Наблюдаются существенные отличия в поведении указанных параметров для кристаллов ZnSe и Cd₁₋ₓZnₓTe.
Для визначення кінєтики допорогового дефектоутворення досліджувалася діелектрична проникність ізовалентно легованого селеніду цинку та кристалів Cd₁₋ₓZnₓTe (x = 0,16). Опромінення зразків проводили рентгенівським випроміненням (W-анод, 100150 кВ), доза D якого змінювалась у межах до 900 Р. Діелектричні параметри є' та є'' вимірювалися ємосною методикою у діапазоні частот 1...50 кГц. Фотоактивні стани досдіджували методом скануючої фотодіелектричної спектроскопії. Знайдені нетривіальні змінення параметрів є' та є'' при зростанні дози опромінення. Величина і знак цих змінень залежать від дози, а також частоти змінного електричного поля. Показано, що, починаючи з малих значень D, відбувається перебудова системи власних дефектів структури: змінюється концентрація вихідних дефектів, утворюються нові дефекти та їхні асоціати. Спостерігаються суттєві відзнаки у поведінці вказаних параметрів для кристалів ZnSe та Cd₁₋ₓZnₓTe.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139476 |
| citation_txt |
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵcrystals / V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, O. Chugai , V. Seminozhenko, V. Migal’ , V. Komar’, I. Klimenko , K. Katrunov, S. Abashin, S. Oleinik, S. Sulima, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT ryzhikovv radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT starzhinskiyn radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT chugaio radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT seminozhenkov radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT migalv radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT komarv radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT klimenkoi radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT katrunovk radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT abashins radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT oleiniks radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT sulimas radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT zenyai radiationinducedchangesindielectricandphotoelectricpropertiesofaiibvicrystals AT ryzhikovv radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT starzhinskiyn radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT chugaio radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT seminozhenkov radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT migalv radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT komarv radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT klimenkoi radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT katrunovk radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT abashins radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT oleiniks radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT sulimas radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi AT zenyai radíacíinoíndukovanízmínidíelektričnihtafotoelektričnihvlastivosteikristalívaiibvi |
| first_indexed |
2025-11-30T17:01:19Z |
| last_indexed |
2025-11-30T17:01:19Z |
| _version_ |
1850858288814489600 |