Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals
Possibilities have been studied to prepare high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals of high perfection and spectrometric quality. Studies have been carried out of deep purification of Cd, Zn and Te using the installation developed by us, which comprised a rotating container of optical q...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139486 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals / E.F. Voronkin, L.V. Atroshchenko, S.N. Galkin, A.I. Lalayants, I.A. Rybalka, V.D. Ryzhikov // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 612-616. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862577417562882048 |
|---|---|
| author | Voronkin, E.F. Atroshchenko, L.V. Galkin, S.N. Lalayants, A.I. Rybalka, I.A. Ryzhikov, V.D. |
| author_facet | Voronkin, E.F. Atroshchenko, L.V. Galkin, S.N. Lalayants, A.I. Rybalka, I.A. Ryzhikov, V.D. |
| citation_txt | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals / E.F. Voronkin, L.V. Atroshchenko, S.N. Galkin, A.I. Lalayants, I.A. Rybalka, V.D. Ryzhikov // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 612-616. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Possibilities have been studied to prepare high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals of high perfection and spectrometric quality. Studies have been carried out of deep purification of Cd, Zn and Te using the installation developed by us, which comprised a rotating container of optical quartz, by distillation and recrystallization. This installation is polyfunctional, allowing distillation, zone purification, recrystallization in horizontal (at a small angle) or vertical direction. It has been shown that horizontal zone purification is efficient for most admixtures, with exception of carbon. For carbon removal from Cd, Zn and Te, a vertical variant of zone purification was additionally used, which allowed reduction in carbon content from 10⁻³ to -10⁻⁶ %.
Работа посвящена исследованию возможности получения высокочистой шихты для выращивания кристаллов Cd₁₋ₓ ZnₓTe высокого структурного совершенства и спектрометрического качества. Приведены результаты изучения процессов глубокой очистки Cd, Zn и Te при использовании разработанной нами установки с вращающимся контейнером из оптического кварца путем их дистилляции и перекристаллизации. Эта установка является многофункциональной и позволяет проводить дистилляцию, зонную очистку, перекристаллизацию как в горизонтальном (под небольшим углом), так и в вертикальном направлениях. Показано, что горизонтальная зонная очистка является эффективной для большинства примесей, за исключением углерода. Для очистки Cd, Zn и Te от примеси углерода дополнительно использован вертикальный вариант зонной очистки, который позволил снизить содержание углерода с с 10⁻³ до -10⁻⁶ %
Робота присвячена досліджєнню можливості одержання шихти високої чистоти для вирощування структурно досконалих кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe спектрометричної якості. Приведено результати вивчення процесів глибокого очищення Cd, Zn та Te при використанні розробленої нами установки з обертовим контейнером із оптичного кварцу шляхом їх дистиляції і перекристалізації. Ця установка є багатофункціональною і дозволяє проводити дистиляцію, зонну очистку, перекристалізацію як у горизонтальному (під невеликим кутом), так і у вертикальному напрямках. Показано, що горизонтальна зонна очистка є ефективною для більшості домішок, за винятком вуглецю. Для очищення Cd, Zn та Te від домішки вуглецю додатково використаний вертикальний варіант зонної очистки, що дозволив знизити вміст вуглецю з 10⁻³ до -10⁻⁶ %.
|
| first_indexed | 2025-11-26T15:26:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139486 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T15:26:11Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Voronkin, E.F. Atroshchenko, L.V. Galkin, S.N. Lalayants, A.I. Rybalka, I.A. Ryzhikov, V.D. 2018-06-20T13:57:21Z 2018-06-20T13:57:21Z 2004 Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals / E.F. Voronkin, L.V. Atroshchenko, S.N. Galkin, A.I. Lalayants, I.A. Rybalka, V.D. Ryzhikov // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 612-616. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139486 Possibilities have been studied to prepare high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals of high perfection and spectrometric quality. Studies have been carried out of deep purification of Cd, Zn and Te using the installation developed by us, which comprised a rotating container of optical quartz, by distillation and recrystallization. This installation is polyfunctional, allowing distillation, zone purification, recrystallization in horizontal (at a small angle) or vertical direction. It has been shown that horizontal zone purification is efficient for most admixtures, with exception of carbon. For carbon removal from Cd, Zn and Te, a vertical variant of zone purification was additionally used, which allowed reduction in carbon content from 10⁻³ to -10⁻⁶ %. Работа посвящена исследованию возможности получения высокочистой шихты для выращивания кристаллов Cd₁₋ₓ ZnₓTe высокого структурного совершенства и спектрометрического качества. Приведены результаты изучения процессов глубокой очистки Cd, Zn и Te при использовании разработанной нами установки с вращающимся контейнером из оптического кварца путем их дистилляции и перекристаллизации. Эта установка является многофункциональной и позволяет проводить дистилляцию, зонную очистку, перекристаллизацию как в горизонтальном (под небольшим углом), так и в вертикальном направлениях. Показано, что горизонтальная зонная очистка является эффективной для большинства примесей, за исключением углерода. Для очистки Cd, Zn и Te от примеси углерода дополнительно использован вертикальный вариант зонной очистки, который позволил снизить содержание углерода с с 10⁻³ до -10⁻⁶ % Робота присвячена досліджєнню можливості одержання шихти високої чистоти для вирощування структурно досконалих кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe спектрометричної якості. Приведено результати вивчення процесів глибокого очищення Cd, Zn та Te при використанні розробленої нами установки з обертовим контейнером із оптичного кварцу шляхом їх дистиляції і перекристалізації. Ця установка є багатофункціональною і дозволяє проводити дистиляцію, зонну очистку, перекристалізацію як у горизонтальному (під невеликим кутом), так і у вертикальному напрямках. Показано, що горизонтальна зонна очистка є ефективною для більшості домішок, за винятком вуглецю. Для очищення Cd, Zn та Te від домішки вуглецю додатково використаний вертикальний варіант зонної очистки, що дозволив знизити вміст вуглецю з 10⁻³ до -10⁻⁶ %. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals Одержання шихти високої чистоти для вирощування кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe Article published earlier |
| spellingShingle | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals Voronkin, E.F. Atroshchenko, L.V. Galkin, S.N. Lalayants, A.I. Rybalka, I.A. Ryzhikov, V.D. |
| title | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals |
| title_alt | Одержання шихти високої чистоти для вирощування кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe |
| title_full | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals |
| title_fullStr | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals |
| title_full_unstemmed | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals |
| title_short | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals |
| title_sort | preparation of high-purity charge for growth of cd₁₋ₓ znₓte crystals |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139486 |
| work_keys_str_mv | AT voronkinef preparationofhighpuritychargeforgrowthofcd1xznxtecrystals AT atroshchenkolv preparationofhighpuritychargeforgrowthofcd1xznxtecrystals AT galkinsn preparationofhighpuritychargeforgrowthofcd1xznxtecrystals AT lalayantsai preparationofhighpuritychargeforgrowthofcd1xznxtecrystals AT rybalkaia preparationofhighpuritychargeforgrowthofcd1xznxtecrystals AT ryzhikovvd preparationofhighpuritychargeforgrowthofcd1xznxtecrystals AT voronkinef oderžannâšihtivisokoíčistotidlâviroŝuvannâkristalívcd1xznxte AT atroshchenkolv oderžannâšihtivisokoíčistotidlâviroŝuvannâkristalívcd1xznxte AT galkinsn oderžannâšihtivisokoíčistotidlâviroŝuvannâkristalívcd1xznxte AT lalayantsai oderžannâšihtivisokoíčistotidlâviroŝuvannâkristalívcd1xznxte AT rybalkaia oderžannâšihtivisokoíčistotidlâviroŝuvannâkristalívcd1xznxte AT ryzhikovvd oderžannâšihtivisokoíčistotidlâviroŝuvannâkristalívcd1xznxte |