Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
The recombination parameters of the point defects dynamics (recombination barrier, recombination time, recombination factor) at high and low temperatures are discussed proceeding from the heterogeneous mechanism of grown-in microdefects formation and transformation. The cooling-induced decomposition...
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| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
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| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139612 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 69-73. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |