Зображення обкладинки

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals

The recombination parameters of the point defects dynamics (recombination barrier, recombination time, recombination factor) at high and low temperatures are discussed proceeding from the heterogeneous mechanism of grown-in microdefects formation and transformation. The cooling-induced decomposition...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2006
Автори:	Talanin, V.I., Talanin, I.E.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139612
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 69-73. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

The methods for the calculation of the elastic interaction of point defects with a dislocation loops in hexagonal crystals
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2017)

Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Computer simulation and analytic description of the structural defects in two-dimensional limited in size crystals: free boundary, dislocations, crowdions
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2018)

nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)

Dynamic damping of dislocations with phonons in Kbr single crystals
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Elastic interaction energy of point defects with a basal dislocation loop in zirconium
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2020)

Low-temperature creation of Frenkel defects via hot electron-hole recombination in highly pure NaCl single crystals
за авторством: A. Lushchik, та інші
Опубліковано: (2016)

Low-temperature creation of Frenkel defects via hot electron-hole recombination in highly pure NaCl single crystals
за авторством: Lushchik, A., та інші
Опубліковано: (2016)

Theoretical analysis of the kinetics of low-temperature defect recombination in alkali halide crystals
за авторством: V. N. Kuzovkov, та інші
Опубліковано: (2016)

Dislocation distribution in ruby single crystals under loading at high temperatures
за авторством: Bosin, M.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)

Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Kinetics of Mechanically Induced Separation of Chromium-Nickel Steels with Regard for Generation of Point Defects by Glide Dislocations during SPD
за авторством: V. N. Varjukhin, та інші
Опубліковано: (2013)

Radiative recombination in BiI₃(Mn) and BiI₃(Cr) layered single crystals
за авторством: Motsnyi, F.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Experimental determination of metal fuel point defect parameters
за авторством: Fluss, M.J., та інші
Опубліковано: (2009)

Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)