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Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals

The recombination parameters of the point defects dynamics (recombination barrier, recombination time, recombination factor) at high and low temperatures are discussed proceeding from the heterogeneous mechanism of grown-in microdefects formation and transformation. The cooling-induced decomposition...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Functional Materials
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Talanin, V.I., Talanin, I.E.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139612
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 69-73. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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