Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation
The structure changes in nickel-on-silicon systems due to vacuum ultraviolet irradiation (VUV) have been studied using the X-ray reflectometry. An ultra-thin (1 to 2 nm) layer (of the density ρ = 3.2 to 3.4 g/cm³ at VUV wavelength λ = 120 nm and 2.1 to
 2.6 g/cm³ at λ = 180 nm) has been r...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139961 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation / I.F. Mikhailov, S.S. Borisova, L.P. Fomina, S.V. Malykhin, I.N. Babenko // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 85-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862701006153842688 |
|---|---|
| author | Mikhailov, I.F. Borisova, S.S. Fomina, L.P. Malykhin, S.V. Babenko, I.N. |
| author_facet | Mikhailov, I.F. Borisova, S.S. Fomina, L.P. Malykhin, S.V. Babenko, I.N. |
| citation_txt | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation / I.F. Mikhailov, S.S. Borisova, L.P. Fomina, S.V. Malykhin, I.N. Babenko // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 85-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The structure changes in nickel-on-silicon systems due to vacuum ultraviolet irradiation (VUV) have been studied using the X-ray reflectometry. An ultra-thin (1 to 2 nm) layer (of the density ρ = 3.2 to 3.4 g/cm³ at VUV wavelength λ = 120 nm and 2.1 to
2.6 g/cm³ at λ = 180 nm) has been revealed to be formed at the nickel film surface under irradiation. The nickel films themselves remain unchanged both in thickness and density after a short-time VUV irradiation. It has been supposed that the surface layer formation is a result of the VUV interaction with the silicon substrate, silicon nitride Si₃N₄ being formed at λ = 120 nm while oxide SiOₓ at λ = 180 nm.
Методом рентгеновской рефлектометрии исследованы изменения структуры никелевых пленок различной толщины на кремниевых подложках при облучении вакуумным ультрафиолетом. Обнаружен тончайший (1-2 нм) слой (с плотностью ρ = 3,2 ÷ 3,4 г/см³ при λ = 120 нм и ρ = 2,1 ÷ 2,6 г/см³ при λ = 180 нм), возникающий на поверхности пленок никеля в результате ВУФ облучения. При этом слой никеля по плотности и толщине заметно не изменялся. Выдвинуто предположение, что образующийся на поверхности слой является результатом взаимодействия ВУФ с кремниевой подложкой, причем в случае ВУФ с λ = 120 нм образуется нитрид кремния Si₃N₄, а в случае λ = 180 нм образуется оксид кремния SiOₓ.
Методом рентгенiвської рефлектометрiї дослiджено змiнення структури нiкелевих плiвок рiзної товщини на кремнiйових пiдкладках пiдчас опромiнювання вакуумним ультрафiолетом. Виявлений надтонкий (1-2 нм) шар (з густиною ρ = 3,2 ÷ 3,4 г/см³ при λ = 120 нм та ρ = 2,1 ÷ 2,6 г/см³ при λ = 180 нм), який утворюється на поверхнi плiвок нiкелю в результатi ВУФ опромiнення. При цьому шар нiкелю за густиною i товщиною помiтно не змiнювався. 3роблено припущення, що шар, який утворюється на поверхнi, є результатом взаємодiї ВУФ з кремнiйовою пiдкладкою, причому у випадку ВУФ з λ = 120 нм утворюється нiтрид кремнiю Si₃N₄, а у випадку λ = 180 нм створюється оксид кремнiю SiOₓ.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:40:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139961 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:40:44Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Mikhailov, I.F. Borisova, S.S. Fomina, L.P. Malykhin, S.V. Babenko, I.N. 2018-06-21T14:30:48Z 2018-06-21T14:30:48Z 2006 Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation / I.F. Mikhailov, S.S. Borisova, L.P. Fomina, S.V. Malykhin, I.N. Babenko // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 85-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139961 The structure changes in nickel-on-silicon systems due to vacuum ultraviolet irradiation (VUV) have been studied using the X-ray reflectometry. An ultra-thin (1 to 2 nm) layer (of the density ρ = 3.2 to 3.4 g/cm³ at VUV wavelength λ = 120 nm and 2.1 to
 2.6 g/cm³ at λ = 180 nm) has been revealed to be formed at the nickel film surface under irradiation. The nickel films themselves remain unchanged both in thickness and density after a short-time VUV irradiation. It has been supposed that the surface layer formation is a result of the VUV interaction with the silicon substrate, silicon nitride Si₃N₄ being formed at λ = 120 nm while oxide SiOₓ at λ = 180 nm. Методом рентгеновской рефлектометрии исследованы изменения структуры никелевых пленок различной толщины на кремниевых подложках при облучении вакуумным ультрафиолетом. Обнаружен тончайший (1-2 нм) слой (с плотностью ρ = 3,2 ÷ 3,4 г/см³ при λ = 120 нм и ρ = 2,1 ÷ 2,6 г/см³ при λ = 180 нм), возникающий на поверхности пленок никеля в результате ВУФ облучения. При этом слой никеля по плотности и толщине заметно не изменялся. Выдвинуто предположение, что образующийся на поверхности слой является результатом взаимодействия ВУФ с кремниевой подложкой, причем в случае ВУФ с λ = 120 нм образуется нитрид кремния Si₃N₄, а в случае λ = 180 нм образуется оксид кремния SiOₓ. Методом рентгенiвської рефлектометрiї дослiджено змiнення структури нiкелевих плiвок рiзної товщини на кремнiйових пiдкладках пiдчас опромiнювання вакуумним ультрафiолетом. Виявлений надтонкий (1-2 нм) шар (з густиною ρ = 3,2 ÷ 3,4 г/см³ при λ = 120 нм та ρ = 2,1 ÷ 2,6 г/см³ при λ = 180 нм), який утворюється на поверхнi плiвок нiкелю в результатi ВУФ опромiнення. При цьому шар нiкелю за густиною i товщиною помiтно не змiнювався. 3роблено припущення, що шар, який утворюється на поверхнi, є результатом взаємодiї ВУФ з кремнiйовою пiдкладкою, причому у випадку ВУФ з λ = 120 нм утворюється нiтрид кремнiю Si₃N₄, а у випадку λ = 180 нм створюється оксид кремнiю SiOₓ. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation Змінення структури наношарів нікелю на кремнії підчас опромінювання вакуумним ультрафіолетом Article published earlier |
| spellingShingle | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation Mikhailov, I.F. Borisova, S.S. Fomina, L.P. Malykhin, S.V. Babenko, I.N. |
| title | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation |
| title_alt | Змінення структури наношарів нікелю на кремнії підчас опромінювання вакуумним ультрафіолетом |
| title_full | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation |
| title_fullStr | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation |
| title_full_unstemmed | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation |
| title_short | Structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation |
| title_sort | structure changes in nickel on silicon nano-layers under vacuum ultraviolet irradiation |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139961 |
| work_keys_str_mv | AT mikhailovif structurechangesinnickelonsiliconnanolayersundervacuumultravioletirradiation AT borisovass structurechangesinnickelonsiliconnanolayersundervacuumultravioletirradiation AT fominalp structurechangesinnickelonsiliconnanolayersundervacuumultravioletirradiation AT malykhinsv structurechangesinnickelonsiliconnanolayersundervacuumultravioletirradiation AT babenkoin structurechangesinnickelonsiliconnanolayersundervacuumultravioletirradiation AT mikhailovif zmínennâstrukturinanošarívníkelûnakremníípídčasopromínûvannâvakuumnimulʹtrafíoletom AT borisovass zmínennâstrukturinanošarívníkelûnakremníípídčasopromínûvannâvakuumnimulʹtrafíoletom AT fominalp zmínennâstrukturinanošarívníkelûnakremníípídčasopromínûvannâvakuumnimulʹtrafíoletom AT malykhinsv zmínennâstrukturinanošarívníkelûnakremníípídčasopromínûvannâvakuumnimulʹtrafíoletom AT babenkoin zmínennâstrukturinanošarívníkelûnakremníípídčasopromínûvannâvakuumnimulʹtrafíoletom |