Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP. The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 1998 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140762 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |