Buchumschlag

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs

Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP. The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	1998
1. Verfasser:	Губа, С.К.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Schlagworte:	Материалы для компонентов
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140762
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Raman spectra of InᵪTl₁₋ᵪI substitutional solid solutions
von: Dovhyi, Ya.O., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

The return steganoanalysis methods on a basis of χ2-criterion
von: L. L. Nikitenko
Veröffentlicht: (2015)

Вариации характеристик эмиссионных линий водорода в спектре χ Дракона
von: Кругов, В.Д.
Veröffentlicht: (1991)

Parameters for Ramanujan’s function $χ(q)$ of degree five and their explicit evaluation
von: Dharmendra, B. N., et al.
Veröffentlicht: (2017)

"Для посылок в Царьград и другие окрестные государства": київські рейтари ΧVIII ст.
von: Назаренко, В.
Veröffentlicht: (2017)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
von: Харченко, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Изотермический отжиг радиационных дефектов в сплавах циркония с редкоземельными металлами
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)