Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 1998
• Main Author: Губа, С.К.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
• Subjects: Материалы для компонентов
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140762
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP. The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP....