Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
Обсуждается получение резистивных тонкопленочных конденсатов ионно-плазменным распылением металлосилицидных и керметных мишеней на установках УВН-75Р-3.
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | Вакив, Н.М., Погорилко, Я.Р., Шпотюк, О.И. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140779 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления / Н.М. Вакив, Я.Р. Погорилко, О.И. Шпотюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 26-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (1998) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013) -
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
за авторством: Костин, Е.Г., та інші
Опубліковано: (2008)