Повышение точности регулирования напряжения на емкостных накопителях энергии систем импульсной плазмоэрозионной обработки гетерогенных токопроводящих сред

Проанализированы методы повышения точности регулирования напряжения емкостных накопителей энергии и варианты их технической реализации. Приведены модели узлов зарядного устройства генератора разрядных импульсов установки плазмоэрозионной обработки гетерогенных токопроводящих сред и рассчитаны перехо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2016
Main Authors: Захарченко, С.Н., Руденко, Ю.В., Черкасский, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут електродинаміки НАН України 2016
Series:Технічна електродинаміка
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/141970
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Повышение точности регулирования напряжения на емкостных накопителях энергии систем импульсной плазмоэрозионной обработки гетерогенных токопроводящих сред / С.Н. Захарченко, Ю.В. Руденко, А.П. Черкасский // Технічна електродинаміка. — 2016. — № 6. — С. 30-37. — Бібліогр.: 21 назв. — pос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Проанализированы методы повышения точности регулирования напряжения емкостных накопителей энергии и варианты их технической реализации. Приведены модели узлов зарядного устройства генератора разрядных импульсов установки плазмоэрозионной обработки гетерогенных токопроводящих сред и рассчитаны переходные процессы в них. Для идеального зарядного LC-контура найдена зависимость погрешности регулирования напряжения емкостного накопителя от его волнового сопротивления и отношения начальных условий на его элементах. Предложены алгоритмы управления порогом ограничения зарядного тока, обеспечивающие высокую точность регулирования напряжения емкостных накопителей при высокой скорости их заряда. Показано, что использование режимов, в которых частота следования импульсов заряда емкостных накопителей на порядки выше частоты следования разрядных импульсов, позволяет уменьшить погрешность регулирования напряжения на них до ± (1 - 3) % и менее.