Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей

Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs–электродах и электродах на основе наноразмерных частиц CdSe после их наноструктурирования в растворах, содержащих ионы Zn²⁺ и S²⁻. Показано, что наноструктурирование электродов при­водит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением ск...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Поверхность
Datum:2007
Hauptverfasser: Слободянюк, И.А., Русецкий, И.А., Колбасов, Г.Я.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2007
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146650
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 364-369. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine