Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей

• Опубліковано в: : Поверхность
• Дата: 2007
• Автори: Слободянюк, И.А., Русецкий, И.А., Колбасов, Г.Я.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2007
• Теми: Нанотехнологии на наноматериалы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146650
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 364-369. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs–электродах и электродах на основе наноразмерных частиц CdSe после их наноструктурирования в растворах, содержащих ионы Zn²⁺ и S²⁻. Показано, что наноструктурирование электродов при­водит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации и фотокатодной реакции с участием поверхностных электронных состояний. Исследованные материалы перспективны для применения в качестве фотоанодов фотоэлектрохимической системы с накоплением водорода. Photoelectrochemical processes on GaAs-electrodes and electrodes on a basis nanodimensional particles CdSe after them nanostructuring in the solutions containing ions Zn²⁺ and S²⁻ are studied. It is shown, that nanostructuring electrodes result leads to increase in their photosensitivity that is related to reduction of velocity of the surface recombination and the photocathode reaction with participation of the surface electronic states. The explored materials are perspective for application as photoanodes of photoelectrochemical system with hydrogen accumulation.