Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
The lateral photoconductivity spectra and photofield electron emission were used to investigate multilayer Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots. Earlier we have revealed a close connection between elastic strain in Ge quantum dots originating due to the lattice mismatch during the epitaxial g...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Поверхность |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146920 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures / Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, A.V. Sushyі, S.V. Kondratenko, O.V. Vakulenko, A.A. Dadykin, A.G. Naumovets // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 176-185. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862590328084627456 |
|---|---|
| author | Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Sushyі, A.V. Kondratenko, S.V. Vakulenko, O.V. Dadykin, A.A. Naumovets, A.G. |
| author_facet | Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Sushyі, A.V. Kondratenko, S.V. Vakulenko, O.V. Dadykin, A.A. Naumovets, A.G. |
| citation_txt | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures / Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, A.V. Sushyі, S.V. Kondratenko, O.V. Vakulenko, A.A. Dadykin, A.G. Naumovets // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 176-185. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Поверхность |
| description | The lateral photoconductivity spectra and photofield electron emission were used to investigate multilayer Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots. Earlier we have revealed a close connection between elastic strain in Ge quantum dots originating due to the lattice mismatch during the epitaxial growth and additional energy level forming in the strained Si-Ge heterojunction region. Thus, it appeared to be possible observing intraband transitions in Ge quantum dots that are absent in two-dimensional Si-Ge heterostructures using such simple and informative methods. While an influence of the number of Ge quantum dot layers on lateral photoconductivity spectra is not essential, the photofield electron emission characteristics showed considerable shift to middle infrared area, as the number of Ge quantum dot layers increased. It was revealed that size and composition parameters of Ge quantum dots correspond to energy levels in the valence band of the latter with the energy distance between them about 0.32 and 0.34 eV with a high accuracy. The results of our investigation make it possible to expect their possible application in new nano- and optoelectronic devices.
Методами фотопольової емісії та повздовжньої фотопровідності було досліджено багатошарові наногетероструктури з квантовими точками германію. Попередні дослідження показали тісний зв'язок пружних напружень, що виникають при епітаксійному рості матеріалів з різними постійними граток, з виникненням додаткових рівнів в зоні такого гетеропереходу. Таким чином, відносно простими але інформативними методами спостерігалися міжзонні переходи, які відсутні в двовимірних гетероструктурах Si-Ge. Якщо вплив кількості шарів на фотопольову емісію несуттєвий, то при дослідженні фотопровідності виявлено прямий зв'язок зсуву чутливості повздовжньої фотопровідності в середній інфрачервоний діапазон від кількості шарів з квантовими точками германію. Показано, що розмірні характеристики та мольний склад квантових точок відповідають енергетичним рівням з енергетичною відстанню між ними приблизно 0,32 та 0,34 еВ з дуже високою точністю. Результати досліджень дозволяють сподіватися на їх використання в перспективних приладах нано- та оптоелектроніки.
|
| first_indexed | 2025-11-27T04:31:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-146920 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2617-5975 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-27T04:31:07Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Sushyі, A.V. Kondratenko, S.V. Vakulenko, O.V. Dadykin, A.A. Naumovets, A.G. 2019-02-12T14:29:05Z 2019-02-12T14:29:05Z 2008 Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures / Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, A.V. Sushyі, S.V. Kondratenko, O.V. Vakulenko, A.A. Dadykin, A.G. Naumovets // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 176-185. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. 2617-5975 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146920 538.94 The lateral photoconductivity spectra and photofield electron emission were used to investigate multilayer Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots. Earlier we have revealed a close connection between elastic strain in Ge quantum dots originating due to the lattice mismatch during the epitaxial growth and additional energy level forming in the strained Si-Ge heterojunction region. Thus, it appeared to be possible observing intraband transitions in Ge quantum dots that are absent in two-dimensional Si-Ge heterostructures using such simple and informative methods. While an influence of the number of Ge quantum dot layers on lateral photoconductivity spectra is not essential, the photofield electron emission characteristics showed considerable shift to middle infrared area, as the number of Ge quantum dot layers increased. It was revealed that size and composition parameters of Ge quantum dots correspond to energy levels in the valence band of the latter with the energy distance between them about 0.32 and 0.34 eV with a high accuracy. The results of our investigation make it possible to expect their possible application in new nano- and optoelectronic devices. Методами фотопольової емісії та повздовжньої фотопровідності було досліджено багатошарові наногетероструктури з квантовими точками германію. Попередні дослідження показали тісний зв'язок пружних напружень, що виникають при епітаксійному рості матеріалів з різними постійними граток, з виникненням додаткових рівнів в зоні такого гетеропереходу. Таким чином, відносно простими але інформативними методами спостерігалися міжзонні переходи, які відсутні в двовимірних гетероструктурах Si-Ge. Якщо вплив кількості шарів на фотопольову емісію несуттєвий, то при дослідженні фотопровідності виявлено прямий зв'язок зсуву чутливості повздовжньої фотопровідності в середній інфрачервоний діапазон від кількості шарів з квантовими точками германію. Показано, що розмірні характеристики та мольний склад квантових точок відповідають енергетичним рівням з енергетичною відстанню між ними приблизно 0,32 та 0,34 еВ з дуже високою точністю. Результати досліджень дозволяють сподіватися на їх використання в перспективних приладах нано- та оптоелектроніки. The research was implemented within the bilateral ÖAD Project UA No 2007/05 and supported by the program of fundamental research of the National Academy of Sciences of Ukraine “Nanostructured systems, nanomaterials, nanotechnologies” through the Project No 9/07 and by the Ministry of Education and Science of Ukraine through Project No M/139-07. en Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Поверхность Физико-химия поверхностных явлений Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures Квантові ефекти в багатошарових Si-Ge наногетероструктурах Article published earlier |
| spellingShingle | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Sushyі, A.V. Kondratenko, S.V. Vakulenko, O.V. Dadykin, A.A. Naumovets, A.G. Физико-химия поверхностных явлений |
| title | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures |
| title_alt | Квантові ефекти в багатошарових Si-Ge наногетероструктурах |
| title_full | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures |
| title_fullStr | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures |
| title_full_unstemmed | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures |
| title_short | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures |
| title_sort | quantum effects in multilayer si-ge nanoheterostructures |
| topic | Физико-химия поверхностных явлений |
| topic_facet | Физико-химия поверхностных явлений |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/146920 |
| work_keys_str_mv | AT kozyrevyun quantumeffectsinmultilayersigenanoheterostructures AT rubezhanskamyu quantumeffectsinmultilayersigenanoheterostructures AT sushyíav quantumeffectsinmultilayersigenanoheterostructures AT kondratenkosv quantumeffectsinmultilayersigenanoheterostructures AT vakulenkoov quantumeffectsinmultilayersigenanoheterostructures AT dadykinaa quantumeffectsinmultilayersigenanoheterostructures AT naumovetsag quantumeffectsinmultilayersigenanoheterostructures AT kozyrevyun kvantovíefektivbagatošarovihsigenanogeterostrukturah AT rubezhanskamyu kvantovíefektivbagatošarovihsigenanogeterostrukturah AT sushyíav kvantovíefektivbagatošarovihsigenanogeterostrukturah AT kondratenkosv kvantovíefektivbagatošarovihsigenanogeterostrukturah AT vakulenkoov kvantovíefektivbagatošarovihsigenanogeterostrukturah AT dadykinaa kvantovíefektivbagatošarovihsigenanogeterostrukturah AT naumovetsag kvantovíefektivbagatošarovihsigenanogeterostrukturah |