Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбці...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Поверхность |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147871 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |