Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)

• Опубліковано в: : Поверхность
• Дата: 2013
• Автори: Ткачук, О.І., Теребінська, М.І., Лобанов, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2013
• Теми: Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147871
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge₂, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук. Методом ТФП (B3LYP, 6-31G**) рассчитано равновесное пространственное строение кластера Si₉₆H₈₄, воспроизводящего фрагмент релаксированной поверхности Si(001)(4×2), а также адсорбционных комплексов атомов Ge и димера Ge₂ на грани Si(001). Определены типы активных центров грани Si(001)(4×2), по которым происходит адсорбция атомарного германия и димера Ge₂, а также энергии образования поверхностных соединений. DFT method (B3LYP, 6-31G**) calculated equilibrium spatial cluster structure Si₉₆H₈₄, relaxed fragment reproducing the Si(001) (4×2), and adsorption complexes Ge atoms and dimer by Ge₂ face Si (001). Determination of types of active centers face Si(001) (4×2), in which there is a germanium atomic adsorption and dimer Ge₂ and the energy of formation of the corresponding complexes.