Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)

• Published in: Поверхность
• Date: 2013
• Main Authors: Ткачук, О.І., Теребінська, М.І., Лобанов, В.В.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2013
• Subjects: Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/147871
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбці...