Морфологія та оптичні константи нанокристалічних плівок Gе на поверхні Sі(001)

• Veröffentlicht in: Поверхность
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Козирєв, Ю.М., Лисенко, В.С., Гоменюк, Ю. В., Кондратенко, О.С., Іляш, С.А., Кондратенко, С.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2016
• Schlagworte: Наноматериалы и нанотехнологии
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148526
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Морфологія та оптичні константи нанокристалічних плівок Gе на поверхні Sі(001) / Ю.М. Козирєв, В.С. Лисенко, Ю. В. Гоменюк, О.С. Кондратенко, С.А. Іляш, С.В. Кондратенко // Поверхность. — 2016. — Вип. 8 (23). — С. 218-222. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Нанокристалічні плівки Ge та SiGe вирощені на поверхні Si(001) методом молекулярно-променевої епітаксії. Оптичні константи тонких плівок визначено методом багатокутової монохроматичної еліпсометрії. Оптичні властивості систем описано в моделі ефективного середовища Бруггемана. Показано, що зміна ефективних оптичних констант при нанесенні Si на поверхню нанокластерів Ge зумовлена поруватістю нанокристалічних плівок. The Ge and SiGe nanocrystalline films were grown on Si(001) surface by molecular-beam epitaxy. The optical constants of thin films were determined by multy-angle monochromatic ellipsometry. Optical properties of such systems were described using the Bruggeman's theory of effective medium approximation. Deposition of Si on the surface with Ge nanoclusters changes the effective optical constants due to porosity of the nanocrystalline films. Нанокристаллические пленки Ge и SiGe выращены на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Оптические константы тонких пленок определены методом многоуговой монохроматической эллипсометрии. Оптические свойства систем описаны в модели эффективной среды Бруггемана. Показано, что изменение эффективных оптических констант при нанесении Si на поверхность нанокластеров Ge обусловлено пористостью нанокристаллических пленок.