Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как сле...
Saved in:
| Published in: | Поверхность |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148890 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |