Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии

Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии

Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как сле...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Поверхность
Дата:2012
Автор: Рубежанская, М.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2012
Теми:
Наноматериалы и нанотехнологии
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148890
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-148890
record_format dspace
spelling Рубежанская, М.Ю.
2019-02-19T08:43:19Z
2019-02-19T08:43:19Z
2012
Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
2617-5975
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148890
537.311.322
Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как следствие, различной плотностью состояний в центре и на периферии нанокластеров. Показано, что при увеличении их размеров распределение тока становится однородным по всей площади нанокластеров, что связано с релаксацией упругих деформаций.
Local current characteristics of epitaxial systems with Ge nanoislands on Si (001) were investigated using conducting atomic force microscopy (AFM). The distribution of local currents inside Ge quantum dots showed a good correspondence with the values of internal deformations that determine the maximal density of states by the nanoisland edges. The linear dependence of the current value to the power 3/2 on Ge nanoisland lateral size was revealed that corresponds to the calculated linear dependence of local density of states on the value of unit deformation inside Ge nanoisland made within the framework of classical theory of elasticity and continuous medium theory.
Методом провідної атомно-силової мікроскопії (АСМ) досліджено локальні характеристики струму епітаксіальних систем з наноострівцями Ge на Si(001). Показано, що розподіл локальних струмів всередині квантових точок Ge на Si пов’язаний з величиною внутрішніх пружних деформацій, які визначають максимальну густину станів по контурах острівців. Виявлено лінійну залежність величини струму від латерального розміру в ступені 3/2 нанокластера германію, що відповідає розрахунку лінійної залежності локальної густини станів від величини питомої пружної деформації всередині нанокластера в рамках класичної теорії пружності та теорії суцільних середовищ.
Автор выражает благодарность в.н.с. Козыреву Ю.Н., проф. Лысенко В.С., проф. Тайхерту К. (Австрия) и доктору Крацеру М. запомощь в проведении АСМ-измерений, плодотворное обсуждение и помощь в работе.
ru
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Наноматериалы и нанотехнологии
Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
Influence of elastic deformation on local current characteristics of separate Ge nanoclusters on Si investigated by conducting atomic force microscopy
Вплив пружних деформацій на локальні характеристики струму окремих нанокластерів Ge на Si, досліджених методом провідної атомно-силової мікроскопії
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
spellingShingle Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
Рубежанская, М.Ю.
Наноматериалы и нанотехнологии
title_short Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_full Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_fullStr Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_full_unstemmed Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_sort влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров ge на si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
author Рубежанская, М.Ю.
author_facet Рубежанская, М.Ю.
topic Наноматериалы и нанотехнологии
topic_facet Наноматериалы и нанотехнологии
publishDate 2012
language Russian
container_title Поверхность
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
format Article
title_alt Influence of elastic deformation on local current characteristics of separate Ge nanoclusters on Si investigated by conducting atomic force microscopy
Вплив пружних деформацій на локальні характеристики струму окремих нанокластерів Ge на Si, досліджених методом провідної атомно-силової мікроскопії
description Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как следствие, различной плотностью состояний в центре и на периферии нанокластеров. Показано, что при увеличении их размеров распределение тока становится однородным по всей площади нанокластеров, что связано с релаксацией упругих деформаций. Local current characteristics of epitaxial systems with Ge nanoislands on Si (001) were investigated using conducting atomic force microscopy (AFM). The distribution of local currents inside Ge quantum dots showed a good correspondence with the values of internal deformations that determine the maximal density of states by the nanoisland edges. The linear dependence of the current value to the power 3/2 on Ge nanoisland lateral size was revealed that corresponds to the calculated linear dependence of local density of states on the value of unit deformation inside Ge nanoisland made within the framework of classical theory of elasticity and continuous medium theory. Методом провідної атомно-силової мікроскопії (АСМ) досліджено локальні характеристики струму епітаксіальних систем з наноострівцями Ge на Si(001). Показано, що розподіл локальних струмів всередині квантових точок Ge на Si пов’язаний з величиною внутрішніх пружних деформацій, які визначають максимальну густину станів по контурах острівців. Виявлено лінійну залежність величини струму від латерального розміру в ступені 3/2 нанокластера германію, що відповідає розрахунку лінійної залежності локальної густини станів від величини питомої пружної деформації всередині нанокластера в рамках класичної теорії пружності та теорії суцільних середовищ.
issn 2617-5975
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148890
citation_txt Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT rubežanskaâmû vliânieuprugihdeformaciinalokalʹnyetokovyeharakteristikiotdelʹnyhnanoklasterovgenasiissledovannyhmetodomprovodâŝeiatomnosilovoimikroskopii
AT rubežanskaâmû influenceofelasticdeformationonlocalcurrentcharacteristicsofseparategenanoclustersonsiinvestigatedbyconductingatomicforcemicroscopy
AT rubežanskaâmû vplivpružnihdeformacíinalokalʹníharakteristikistrumuokremihnanoklasterívgenasidoslídženihmetodomprovídnoíatomnosilovoímíkroskopíí
first_indexed 2025-12-07T13:25:18Z
last_indexed 2025-12-07T13:25:18Z
_version_ 1850856092729344000

Схожі ресурси