Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях
Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения. Досліджено радіаційні процеси формування аморфно-мікрокристалічних гетеро...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15712 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях / А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, А.С. Абызов, И.И. Шаповал, А.В. Рыбка, Е.П. Березняк, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 164-167. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |